[發(fā)明專利]半導體加工設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410146642.2
• 申請日: 2014-04-11
• 公開（公告）號: CN104979237B
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 彭瑞欣,張?zhí)焓?/td>

1.一種半導體加工設(shè)備，其包括反應(yīng)腔室和設(shè)置在所述反應(yīng)腔室底部的抽氣腔室，其中，在所述反應(yīng)腔室的底部設(shè)置有排氣口，且對應(yīng)地在所述抽氣腔室的頂部設(shè)置有進氣口，所述進氣口與所述排氣口連接；并且，在所述抽氣腔室的側(cè)壁上設(shè)置有出氣口，用以排出所述抽氣腔室內(nèi)的氣體，其特征在于，在所述抽氣腔室內(nèi)，且位于所述出氣口的下方設(shè)置有錐狀環(huán)，所述錐狀環(huán)的下端口小于上端口；

所述錐狀環(huán)用于將所述抽氣腔室分隔為上腔室和下腔室，所述上腔室和下腔室通過所述錐狀環(huán)的環(huán)孔相連通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體加工設(shè)備，其特征在于，所述抽氣腔室還包括顆粒儲存槽，所述顆粒儲存槽采用可拆卸的方式設(shè)置在所述下腔室的底部，用于儲存進入所述下腔室內(nèi)的副產(chǎn)物顆粒；并且

在所述顆粒儲存槽與所述下腔室之間設(shè)置有密封圈，用于對二者之間的間隙進行密封。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體加工設(shè)備，其特征在于，在所述顆粒儲存槽的側(cè)壁內(nèi)設(shè)置有沿其周向環(huán)繞的環(huán)狀通道，通過向所述環(huán)狀通道內(nèi)通入冷卻水來冷卻所述顆粒儲存槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體加工設(shè)備，其特征在于，在所述環(huán)狀通道上分別設(shè)置有進水口和出水口，并且

所述半導體加工設(shè)備還包括冷卻水源，所述冷卻水源用于經(jīng)由所述進水口向所述環(huán)狀通道內(nèi)通入冷卻水，并經(jīng)由所述出水口回收所述環(huán)狀通道內(nèi)的冷卻水。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體加工設(shè)備，其特征在于，所述顆粒儲存槽采用螺栓連接的方式固定在所述下腔室的底部。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體加工設(shè)備，其特征在于，在所述錐狀環(huán)的底部還設(shè)置有柱狀環(huán)，所述柱狀環(huán)的環(huán)孔與所述錐狀環(huán)的環(huán)孔相連通，且所述柱狀環(huán)的端口尺寸與所述錐狀環(huán)的下端口尺寸相適配。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體加工設(shè)備，其特征在于，所述抽氣腔室通過螺釘固定在所述反應(yīng)腔室的底部；并且，在所述抽氣腔室與所述反應(yīng)腔室之間設(shè)置有密封圈，用于對二者之間的間隙進行密封。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體加工設(shè)備，其特征在于，所述反應(yīng)腔室的排氣口位于所述反應(yīng)腔室底部的中心位置處。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體加工設(shè)備，其特征在于，在所述反應(yīng)腔室頂部的中心位置處設(shè)置有進氣口，用以向所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部輸送工藝氣體。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體加工設(shè)備，其特征在于，所述半導體加工設(shè)備還包括抽氣系統(tǒng)，用于經(jīng)由所述出氣口抽取所述抽氣腔室內(nèi)的氣體。