[發(fā)明專利]一種垂直碳納米管陣列與金屬基底鍵合的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410145673.6
• 申請(qǐng)日: 2014-04-14
• 公開（公告）號(hào): CN103928359A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋曉輝;趙蘭普;岳鵬飛;梁楠;莊春生;王其富;張松濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 河南省科學(xué)院應(yīng)用物理研究所有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60;B81C1/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.?一種垂直碳納米管陣列與金屬基底鍵合的方法，其特征是通過化學(xué)氣相沉積方法制備垂直定向碳納米管陣列，然后利用濺射的方法在陣列端部制備納米金屬顆粒，利用電化學(xué)沉積的方法在金屬基底表面制備納米金屬針錐結(jié)構(gòu)，將納米金屬顆粒和納米金屬針錐結(jié)構(gòu)作為鍵合層，實(shí)施熱壓鍵合。

2.如權(quán)利要求1所述的一種垂直碳納米管陣列與金屬基底鍵合的方法，其特征在于碳納米管端部制備的納米金屬顆粒未互連形成連續(xù)薄膜。

3.如權(quán)利要求1所述的一種垂直碳納米管陣列與金屬基底鍵合的方法，其特征在于納米金屬針錐結(jié)構(gòu)直徑小于500nm。