[發(fā)明專利]一種基于多場耦合的鍵合方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410145672.1 | 申請日: | 2014-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN103928300A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宋曉輝;喬彥超;趙蘭普;莊春生;岳鵬飛;張萍 | 申請(專利權(quán))人: | 河南省科學(xué)院應(yīng)用物理研究所有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;B81C3/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 450008 河*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 耦合 方法 | ||
1.一種基于多場耦合的鍵合方法,其特征是在襯底上制備一層金屬薄膜作為基底,之后用電化學(xué)沉積的方法在金屬基底表面制備納米金屬針錐結(jié)構(gòu)作為鍵合層,最后在一定溫度和壓力條件下,將金屬基底連接恒流脈沖電源,通電持續(xù)一段時間后斷開電源,再恒溫恒壓保持一定時間。
2.如權(quán)利要求1所述的一種基于多場耦合的鍵合方法,其特征在于納米金屬針錐結(jié)構(gòu)直徑小于500nm。
3.如權(quán)利要求1所述的一種基于多場耦合的鍵合方法,其特征在于施加的壓力1-5MPa,溫度100-200℃,恒溫恒壓持續(xù)時間20-40分鐘。
4.如權(quán)利要求1所述的一種基于多場耦合的鍵合方法,其特征在于恒流脈沖電源電流幅值小于100安培,脈寬50-150毫秒,頻率大于50赫茲,通電時間30-300秒。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





