[發明專利]一種超勢壘整流器器件結構

在審

• 申請號: 201410145434.0
• 申請日: 2014-04-11
• 公開（公告）號: CN103904106A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 沈健
• 申請（專利權）人: 中航（重慶）微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種超勢壘整流器器件結構，其特征在于，所述超勢壘整流器器件結構采用溝槽型MOS結構作為場終止結構，所述溝槽型MOS結構包括溝槽、結合于所述溝槽表面的介質層、以及填充于溝槽內的多晶硅層。

2.根據權利要求1所述的超勢壘整流器器件結構，其特征在于：所述溝槽為U型溝槽，所述介質層為二氧化硅層。

3.根據權利要求1所述的超勢壘整流器器件結構，其特征在于：所述超勢壘整流器器件結構包括：

第一導電類型襯底；結合于所述第一導電類型襯底表面的第一導電類型外延層；結合于所述第一導電類型外延層表面的柵介質層；結合于所述柵介質層表面的電極材料；以及上電極；

所述第一導電類型外延層表層形成有若干個間隔排列的第二導電類型摻雜區以及形成于各所述第二導電類型體區內的第一導電類型摻雜區；所述第二導電類型摻雜區及第一導電類型摻雜區通過接觸孔與所述上電極相連；

所述若干個間隔排列的第二導電類型摻雜區外側的第一導電類型外延層中形成有溝槽型MOS結構，所述溝槽型MOS結構包括溝槽、結合于所述溝槽表面的介質層以及填充于溝槽內的多晶硅層，所述多晶硅層與所述上電極相連。

4.根據權利要求3所述的超勢壘整流器器件結構，其特征在于：所述槽型MOS結構的深度大于所述第二導電類型摻雜區的深度。

5.根據權利要求3所述的超勢壘整流器器件結構，其特征在于：所述第二導電類型摻雜區及第一導電類型摻雜區的數量至少為3個。

6.根據權利要求3所述的超勢壘整流器器件結構，其特征在于：還包括結合于所述第一導電類型襯底背面的下電極。

7.根據權利要求3所述的超勢壘整流器器件結構，其特征在于：所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。

8.根據權利要求7所述的超勢壘整流器器件結構，其特征在于：所述第一導電類型襯底為N+型襯底，所述第一導電類型外延層為N-型外延層，所述第二導電類型摻雜區為P型摻雜區，所述第一導電類型摻雜區為N+型摻雜區。

9.根據權利要求3所述的超勢壘整流器器件結構，其特征在于：所述第一導電類型襯底及第一導電類型外延層的材料為硅。