[發明專利]一種脈沖陽極氧化制備高度有序二氧化鈦納米管陣列薄膜制備的方法有效
| 申請號： | 201410143733.0 | 申請日： | 2014-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN103924279A | 公開（公告）日： | 2014-07-16 |
| 發明（設計）人： | 李洪義;王金淑;蘇鵬磊;王菲 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | C25D11/26 | 分類號： | C25D11/26;C25D5/18;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人： | 張慧 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 脈沖 陽極 氧化 制備 高度 有序 納米 陣列 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種脈沖陽極氧化制備高度有序二氧化鈦納米管陣列薄膜制備的方法，其特征在于，包含以下步驟：
（1）對金屬鈦片進行清洗處理；
（2）對金屬鈦片進行陽極氧化處理，將陽極氧化與脈沖控制技術相結合在金屬鈦基體上原位獲得具有高度有序的二氧化鈦納米管陣列薄膜，氧化電壓為方波脈沖電壓；
（3）將步驟（2）陽極氧化獲得二氧化鈦納米管陣列薄膜在300-600℃范圍內進行1-6h熱處理，獲得銳鈦礦型二氧化鈦納米管陣列薄膜。
2.按照權利要求1的方法，其特征在于，電解質溶液為含有F離子的水溶液或有機溶劑。
3.按照權利要求1的方法，其特征在于，電解質溶液為NH4HF2和NH4H2PO4的混合水溶液或NH4HF2和乙二醇有機溶液。
4.按照權利要求1的方法，其特征在于，陽極氧化采用的電壓范圍為10V-80V，波形寬度為5-30min。
5.按照權利要求1-4的任一方法制備得到的高度有序二氧化鈦納米管陣列薄膜作為模板制備二氧化鈦納米管陣列薄膜的復合陣列。
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