[發明專利]芯片和芯片裝置

有效

• 申請號: 201410143506.8
• 申請日: 2014-04-10
• 公開（公告）號: CN104103680B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: R·奧特雷姆巴;J·赫格勞爾;J·施雷德爾;X·施勒格爾;K·希斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L21/28
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華

技術領域

本發明的各個實施例總體涉及一種芯片、芯片裝置以及用于制造芯片和芯片裝置的方法。

背景技術

功率半導體芯片可以集成進入電子封裝中，例如通孔型封裝（THP）或表面安裝器件（SMD）。

圖1示出了傳統的功率封裝100，包括引線框架102和通過焊接接線106附著在引線框架102上的芯片104。由鍵合接線108執行對芯片104的重分布或重布線。模塑化合物110包封芯片104和引線框架102以形成功率封裝100。然而，該類型的功率封裝可能在電性能（例如鍵合接線的最大電流承載能力）以及熱性能方面具有限制。

在一些方法中，借由夾具或者借由電化學（galvanic）重分布或重布線而取代了例如功率封裝100中的鍵合接線。由于截面的增大，這些措施可以提高最大電流承載能力。然而，熱芯片限制仍然與鍵合接線重分布可比較，因為這受到引線框架（LF）以及對應的芯片連接的控制。

發明內容

本發明的各個實施例提供了一種芯片。芯片可以包括：具有兩個主表面和多個側表面的本體；在本體的至少一個主表面以及至少一個側表面之上延伸的第一功率電極；以及在本體的至少一個主表面和至少一個側表面之上延伸的第二功率電極。

附圖說明

在附圖中，相同的附圖標記在不同附圖中總體涉及相同的部分。附圖未必按照比例繪制，替代地通常著眼于對本發明原理的圖示。在以下說明書中，參照以下附圖描述了本發明的各個實施例，其中：

圖1示出了傳統的功率封裝；

圖2示出了根據各個實施例的芯片；

圖3示出了根據各個實施例的芯片；

圖4示出了根據各個實施例的芯片裝置；

圖5示出了根據各個實施例的芯片裝置；

圖6示出了根據各個實施例的芯片裝置；

圖7示出了根據各個實施例的芯片裝置；

圖8A示出了傳統的芯片裝置；

圖8B示出了根據各個實施例的芯片裝置；

圖9A示出了根據各個實施例的芯片裝置；

圖9B示出了根據各個實施例的級聯電路；

圖10示出了根據各個實施例的圖示制造芯片的方法的流程圖；以及

圖11示出了根據各個實施例的圖示制造芯片裝置的方法的流程圖。

具體實施方式

以下詳細說明書參照借由圖示方式示出其中可以實施本發明的具體細節和實施例的附圖。

在本文中使用詞語“示例性”意味著“用作示例、實例或圖示”。在本文中作為“示例性”所描述的任何實施例或設計未必解釋為相對于其它實施例或設計為優選或有利的。

在本文中可以使用關于形成在側部或表面“之上”的沉積材料使用的詞語“在……之上”以意味著沉積的材料可以“直接”形成在所指的側部或表面上，例如與其直接接觸。在本文中可以使用關于形成在側部或表面“之上”的沉積材料使用的詞語“在……之上”以意味著沉積的材料可以“間接”形成在所指的側部或表面上，其中在所指側部或表面與沉積的材料之間布置有一個或多個附加層。

各個實施例可以提供一種芯片和芯片裝置，其中針對功率芯片封裝電地并且熱地改進了芯片重布線或重分布。各個實施例可以提供一種用于功率封裝的三維（3D）芯片重分布。

圖2示出了根據各個實施例的芯片200。

芯片200可以包括本體202，本體202具有兩個主表面204、206（例如頂主表面204和底主表面206）以及多個側表面208。

芯片200可以進一步包括：第一功率電極212，在本體202的至少一個主表面204、206和至少一個側表面208之上延伸；以及第二功率電極214，在本體的至少一個主表面204、206和至少一個側表面208之上延伸。在如圖2所示實施例中，第一功率電極212和第二功率電極214可以在兩個主表面204、206之上延伸。然而，應該理解的是第一功率電極212和第二功率電極214可以僅在兩個主表面204、206的一個之上延伸。

在各個實施例中，第一功率電極212和第二功率電極214的至少一個可以在本體202的多個側表面208的至少一部分之上延伸。

在各個實施例中，第一功率電極212和第二功率電極214的至少一個可以在本體202的兩個主表面204、206的一部分之上延伸。

在各個實施例中，第一功率電極212和第二功率電極214的至少一個可以通過可焊接層210而在本體202的至少一個主表面204、206和至少一個側表面208之上延伸。