[發明專利]一種多晶鑄錠用異構涂層坩堝及其制備方法

無效

• 申請號: 201410143417.3
• 申請日: 2014-04-10
• 公開（公告）號: CN103966664A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 顏頡頏;王建立;張華利;崔鵬;高源;張欣
• 申請（專利權）人: 晶海洋半導體材料（東海）有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波;侯莉

1.一種多晶鑄錠用異構涂層坩堝，包括裸堝，其特征在于：在所述裸堝內底面依次涂覆有第一氮化硅涂層和形核涂層，所述形核涂層是由形核物以若干不連續的島狀體分布在第一氮化硅涂層上所構成，在所述裸堝的內壁上還涂覆有第二氮化硅涂層。

2.根據權利要求1所述的多晶鑄錠用異構涂層坩堝，其特征在于：在所述形核涂層的島狀體外表面上及各島狀體的間隙中還涂覆有第三氮化硅涂層。

3.根據權利要求2所述的多晶鑄錠用異構涂層坩堝，其特征在于：所述形核物為硅粉、硅顆粒、石英砂、碳化硅或氮化硅中一種或幾種，所述石英砂、碳化硅和氮化硅的晶格結構與硅相同；所述形核物的粒度為10～1000目，優選為50～300目。

4.根據權利要求3所述的多晶鑄錠用異構涂層坩堝，其特征在于：所述島狀體橫截面的形狀為圓形、橢圓形或者矩形；所述島狀體的橫截面的最大長度是1～50mm，厚度為0.1～10mm，優選0.5～5mm，相鄰的島狀體間隔1～20mm。

5.根據權利要求1～4任一項所述的多晶鑄錠用異構涂層坩堝，其特征在于：所述第一氮化硅涂層的厚度是50～300微米，優選為100～150微米。

6.一種權利要求1所述的多晶鑄錠用異構涂層坩堝的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

⑴制作裸堝；

⑵在裸堝內底面涂覆第一氮化硅涂層并烘干；

⑶在步驟⑵獲得的坩堝的第一氮化硅涂層上制作形核涂層，即將形核物以若干不連續的島狀體設置在第一氮化硅涂層上構成形核涂層；

⑷在步驟⑶獲得的坩堝的內壁上涂覆第二氮化硅涂層即得。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：在步驟⑶獲得的坩堝的形核涂層的島狀體外表面上及各島狀體的間隙中涂覆第三氮化硅涂層。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于：制作形核涂層包括以下步驟：

①將網狀模板平置且緊貼在由步驟⑵獲得的坩堝的第一氮化硅涂層上；

②將形核物涂覆在網狀模板上，以使形核物填充在網狀模板的網孔中；

③移除網狀模板，形核物以若干不連續的島狀體設置在第一氮化硅涂層上，即得形核涂層。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于：所述第三氮化硅涂層的厚度為20-200微米，優選為50-80微米；所述模板的網絲直徑為1～20mm，優選為3～10mm，網孔孔徑為1～50mm，優選為5～20mm。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于：所述第一、第二、第三氮化硅涂層及所述形核涂層以刷涂、滾涂或者噴涂方式進行涂覆。