[發明專利]一種觸覺式電容屏及其制造方法在審
| 申請號: | 201410143331.0 | 申請日: | 2014-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN103902128A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發明(設計)人: | 陳奇;沈勵;許沭華;遲曉暉 | 申請(專利權)人: | 蕪湖長信科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/044 | 分類號: | G06F3/044 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人: | 張金亭 |
| 地址: | 241009 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 觸覺式 電容 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種電容屏及其制造方法,特別是一種帶有觸后感知反饋的觸覺式電容屏及其制造方法。
背景技術
觸摸顯示技術發展快速,觸摸屏也從早期的電阻式轉向現在的電容式,電容式觸摸屏的結構有很多種,有G/G雙層玻璃、單片玻璃(包括OGS、Touch?on?Lens、In-cell、On-cell等),還有薄膜技術(G1F或G/F/F)等。觸摸屏技術確實給人們帶來了觸控上的新感覺,操作簡單人性化,給我們的生活帶來了極大的方便。
觸覺是人與外界環境直接接觸時的重要感覺功能,可是不管哪一種觸摸屏都只能實現“觸”與“觀”的連通,都還無法實現“觸”后除了“觀”之外還能直接有“覺”的連通。隨著微電子技術的發展和各種材料的出現,各種各樣的觸覺觸摸屏是應該能夠實現的。
發明內容
本發明為解決公知技術中存在的技術問題而提供一種觸覺式電容觸摸屏及其制造方法,采用該方法制造的觸摸屏,使用者在觸摸時,能夠獲得觸后知覺。
本發明為解決公知技術中存在的技術問題所采取的一個技術方案是:一種觸覺式電容屏,包括電容屏板,所述電容屏板包括從下至上依次設置的基板、觸控傳感線路和二氧化鉿薄膜或者三氧化二鋁薄膜,所述二氧化鉿薄膜或者所述三氧化二鋁薄膜的厚度為500~3000埃。
本發明為解決公知技術中存在的技術問題所采取的另一個技術方案是:上述觸覺式電容屏的制造方法,包括以下步驟:
一)基板清洗;
二)采用黃光制程在基板的上表面形成觸控傳感線路,獲得帶觸控傳感器的功能片;
三)首先采用步驟一)的方法對步驟二)獲得的功能片進行清洗,然后在觸控傳感線路的表面上采用真空鍍膜的方法沉積一層二氧化鉿薄膜或者三氧化二鋁薄膜,所述二氧化鉿薄膜或者所述三氧化二鋁薄膜的厚度為500~3000埃,形成觸感保護層,獲得觸覺式電容屏坯件;
四)首先對步驟三)獲得的觸覺式電容屏坯件進行外形加工和表面強化處理,然后完成模組貼合和驅動IC的連接及其程序的植入,獲得觸覺式電容屏。
所述基板是玻璃板或塑料薄膜。
所述觸控傳感線路由從下至上依次形成的ITO層或納米銀導電圖形層、PI層、鉬鋁鉬層或者ITO架橋層和passivation保護層構成。
本發明具有的優點和積極效果是:通過在基板的上表面形成觸控傳感線路,在觸控傳感線路上采用真空鍍膜的方法形成納米級二氧化鉿或者三氧化二鋁薄膜,由于二氧化鉿或者三氧化二鋁薄膜具有高寬帶隙高介電常數,它形成的雜質能級能夠單向通過一定的電子信號,在觸摸屏驅動IC程序的控制下能夠在觸摸屏顯示的手指觸摸處產生與視覺圖案相符的感知電流信號,使人體獲得觸覺感知。同時高折射率的納米級薄膜能夠提高觸摸屏的整體透過效果,能夠對觸摸屏觸控傳感線路提供耐磨保護,因此不需要貼保護蓋板,制程簡單。
附圖說明
圖1為本發明的觸覺式電容屏板的結構示意圖。
圖中:1、基板;2、ITO(氧化鈦)層或納米銀導電圖形層;3、鉬鋁鉬層或者ITO架橋層;4、PI層(光阻絕緣層);5、passivation(鈍化)保護層;6、HfO2(二氧化鉿)薄膜或者Al2O3(三氧化二鋁)薄膜。
具體實施方式
為能進一步了解本發明的發明內容、特點及功效,茲例舉以下實施例,并配合附圖詳細說明如下:
請參見圖1,一種觸覺式電容屏,包括電容屏板,所述電容屏板包括從下至上依次設置基板1、觸控傳感線路和二氧化鉿薄膜或者三氧化二鋁薄膜6,所述二氧化鉿薄膜或者所述三氧化二鋁薄膜6的厚度為500~3000埃。
上述觸覺式電容屏的制造方法,包括以下步驟:
一)基板清洗;
通常采用清洗劑和DI去離子水為介質,采用毛刷式清洗機或者超聲波清洗機清洗,吹干后待用。
基板可以是玻璃板也可以是塑料薄膜。
二)采用黃光制程在基板的上表面形成觸控傳感線路,獲得帶觸控傳感器的功能片;
將清洗之后的基板投入觸控傳感器(以后稱為sensor)制程(又稱為黃光制程,屬于公知技術,這里不再描述),在基板的上表面形成用于觸控功能的多層圖案(sensor?pattern)形成觸控傳感器結構。請參見圖1,在本實施例中,用于形成觸控傳感器結構的多層結構為從下至上依次形成的ITO層或納米銀導電圖形層2、PI層3、鉬鋁鉬層或者ITO架橋層4和passivation保護層5。ITO層或納米銀導電圖形層2形成在基板1的上表面。
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