[發(fā)明專利]調(diào)制驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410143134.9 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103957059A | 公開(公告)日: | 2014-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃立;潘文光;馬成炎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 嘉興禾潤(rùn)電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04B10/516 | 分類號(hào): | H04B10/516;H03K17/687;H03K17/06 |
| 代理公司: | 上海旭誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31220 | 代理人: | 鄭立 |
| 地址: | 314006 浙江省嘉興市凌公塘*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 調(diào)制 驅(qū)動(dòng) 輸出 電路 | ||
1.一種調(diào)制驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)電路,包括開關(guān)控制電路部分(22)和電流產(chǎn)生電路部分(21),其特征在于,所述調(diào)制驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)電路接收一對(duì)差分輸入電壓(VIP、VIN),輸出一對(duì)差分輸出電流(IOP、ION);所述電流產(chǎn)生電路部分(21)包括第一晶體管(M1)、第二晶體管(M2)、第一基準(zhǔn)電流源(IREF1)和第二基準(zhǔn)電流源(IREF2),所述開關(guān)控制電路部分(21)包括第三晶體管(M3)、第四晶體管(M4)、第一反相器(INV1)和第二反相器(INV2);所述第一晶體管(M1)的漏極通過所述第一基準(zhǔn)電流源(IREF1)連接電源電壓(VDD),所述第二晶體管(M2)的漏極通過所述第二基準(zhǔn)電流源(IREF2)連接電源電壓(VDD);所述第三晶體管(M3)和所述第四晶體管(M4)的源極分別接地,所述第三晶體管(M3)的漏極連接于所述第一晶體管(M1)的源極,所述第四晶體管(M4)的漏極連接于所述第二晶體管(M2)的源極;所述一對(duì)差分輸入電壓中的第一差分電壓(VIP)通過所述第一反相器(INV1)輸入到所述第三晶體管(M3)的柵極,所述一對(duì)差分輸入電壓中的第二差分電壓(VIN)通過第二反相器(INV2)輸入到所述第四晶體管(M4)的柵極;所述第二晶體管(M2)的漏極輸出所述一對(duì)差分輸出電流中的第一差分電流(IOP),所述第一晶體管(M1)的漏極輸出所述一對(duì)差分輸出電流中的第二差分電流(ION)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)制驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)電路,其特征在于,所述開關(guān)控制電路部分(22)還包括第五晶體管(M5)、第六晶體管(M6)、第三反相器(INV3)和第四反相器(INV4),所述第三反相器(INV3)的輸入端連接于所述第一反相器(INV1)的輸出端,所述第三反相器(INV3)的輸出端連接于所述第五晶體管(M5)的柵極,所述第五晶體管(M5)的源極與漏極分別連接于所述第三晶體管(M3)的漏極,所述第四反相器(INV4)的輸入端連接于所述第二反相器(INV2)的輸出端,所述第四反相器(INV4)的輸出端連接于所述第六晶體管(M6)的柵極,所述第六晶體管(M6)的源極與漏極分別連接于所述第四晶體管(M4)的漏極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的調(diào)制驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)電路,其特征在于,所述第一晶體管(M1)、所述第二晶體管(M2)、所述第三晶體管(M3)和所述第四晶體管(M4)均為NMOS場(chǎng)效應(yīng)管,所述第五晶體管(M5)與所述第六晶體管(M6)均為PMOS場(chǎng)效應(yīng)管。
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