[發明專利]具有雙反射鏡和凹槽形結構的原子氣體腔器件及其制造方法無效
| 申請號: | 201410141911.6 | 申請日: | 2014-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN103941577A | 公開(公告)日: | 2014-07-23 |
| 發明(設計)人: | 許磊;王光池;鄭林華;劉建勇 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第三十八研究所 |
| 主分類號: | G04F5/14 | 分類號: | G04F5/14;B81B1/00;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司: | 合肥金安專利事務所 34114 | 代理人: | 金惠貞 |
| 地址: | 230088 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 反射 凹槽 結構 原子 體腔 器件 及其 制造 方法 | ||
1.具有雙反射鏡和凹槽形結構的原子氣體腔器件,其特征在于:包括硅片和玻璃片,所述硅片的一側面設有凹槽,凹槽內底部設有下反射鏡;所述玻璃片的一側面設有上反射鏡;硅片和玻璃片通過鍵合形成原子氣體腔器件,玻璃片上的上反射鏡對應位于硅片的凹槽內,且與下反射鏡對應。
2.如權利要求1所述的具有雙反射鏡和凹槽形結構的原子氣體腔器件,其特征在于:所述凹槽的橫截面為倒梯形,凹槽為濕法腐蝕形成,硅片的類型為(100)型硅片,且腐蝕形成的凹槽的側壁和玻璃片的夾角為54.7度。
3.如權利要求2所述的具有雙反射鏡和凹槽形結構的原子氣體腔器件,其特征在于:所述凹槽的寬度W為倒梯形的橫截面的底面寬度,且為硅片厚度H的兩倍以上。
4.制備如權利要求1所述的具有雙反射鏡和凹槽形結構的原子氣體腔器件的制造方法,其特征在于具體制備操作步驟如下:
1).在硅片上制作凹槽
選擇(100)型的硅片,利用二氧化硅作為掩膜層進行各向異性濕法腐蝕,在硅片的一側面上形成一百個以上橫截面為倒梯形的凹槽;
2).在玻璃上制作反射鏡
采用蒸發工藝或濺射工藝,利用硬掩模或剝離技術,在玻璃片的一側面上制作一百個以上的金屬膜反射鏡,即上反射鏡;在硅片上的每個凹槽的底部制作一百個以上的金屬膜反射鏡,即下反射鏡;
3).硅-玻璃鍵合
進行硅-玻璃鍵合,同時通入堿金屬蒸汽和緩沖氣體,使硅片和玻璃片密封形成原子氣體腔器件;
4).劃片
以硅片上的凹槽為單元,將整個硅片進行劃分,形成一百個以上單個的原子氣體腔器件。
5.如權利要求4所述的制造方法,其特征在于:步驟3)所述堿金屬蒸汽為銣蒸汽或銫蒸汽,所述的緩沖氣體為85%的氮氣、10%的氫氣和5%的二氧化碳的混合氣體。
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