[發明專利]一種半導體器件的制造方法有效
| 申請號： | 201410141701.7 | 申請日： | 2014-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN104979181B | 公開（公告）日： | 2018-07-20 |
| 發明（設計）人： | 王桂磊;趙超;徐強;陳韜;楊濤;李俊峰 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/285 | 分類號： | H01L21/285;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京維澳專利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;張應 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括步驟：
在襯底上形成柵溝槽；
在柵溝槽中形成柵介質層以及其上的金屬柵極層；
在金屬柵極層表面上形成擴散阻擋層，擴散阻擋層形成步驟包括：將晶片送入CVD反應式，加熱至300℃從而對晶片進行預熱；通入硅烷氣體，淀積形成薄硅層，從而得到擴散阻擋層，薄硅層為單原子的硅層；
采用ALD工藝填充鎢層，具體步驟為：通過交替進行第一反應和第二反應填充鎢層，其中，第一反應的反應氣體包括含硅反應氣體，第二反應的反應氣體包括硼烷，第二反應的沉積速率小于第一反應的沉積速率。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硅氣體為硅烷或硅乙烷。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成擴散阻擋層的步驟具體為：
進行預熱；
通過將含硅氣體進行分解形成硅的擴散阻擋層。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成柵介質層與金屬柵極層之間還包括步驟：形成蓋帽層，以阻擋上層金屬離子擴散至柵介質層中。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述蓋帽層為Ti、Ta、TaN、TiN、WN及其組合。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，ALD工藝中的溫度范圍為250-350°。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，第一反應的沉積速率為
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，第二反應的沉積速率為
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
