[發明專利]離子注入濃度的校準方法

有效

• 申請號: 201410141310.5
• 申請日: 2014-04-08
• 公開（公告）號: CN103927415B
• 公開（公告）日: 2017-07-11
• 發明（設計）人: 顧經綸;顏丙勇
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種離子注入濃度的校準方法，包括：

獲取二次離子質譜的實測曲線；

設置離子注入模型，所述模型為兩個相互獨立的Pearson函數線性相加，并由多個瞬間參數加以限定；

分別對所述多個瞬間參數進行調整，使得所述模型與所述實測曲線相吻合，從而獲得最佳瞬間參數組，所述瞬間參數包括：投影射程Rp；標準差stdev；偏度γ，表征離子濃度分布曲線相對于平均值不對稱程度的特征數；峰度β，描述分布形態的陡緩程度；

對所述多個瞬間參數進行調整包括：所述Rp對應著離子注入濃度的分布曲線的最大值所在的深度，若所述分布曲線的最大值位于所述實測曲線的最大值右側，則調小Rp，若所述分布曲線的最大值位于所述實測曲線的最大值左側，則調大Rp；

若所述分布曲線的峰值高于所述實測曲線，峰值兩側低于所述實測曲線，則調大stdev；若所述分布曲線的峰值低于所述實測曲線，峰值兩側高于所述實測曲線，則調小stdev；

若所述分布曲線相比所述實測曲線朝順時針偏斜，則調大γ；若所述分布曲線相比所述實測曲線朝逆時針偏斜，則調小γ；

若所述分布曲線峰值右側朝左端遠離所述實測曲線，則調大β；若所述分布曲線峰值右側朝右端遠離所述實測曲線，則調小β。

2.如權利要求1所述的離子注入濃度的校準方法，其特征在于，所述模型為F_p(x)＝ratio·f_head(x)+(1-ratio)·f_tail(x)，其中，F_p(x)為離子注入濃度，x為注入深度，f_head(x)與f_tail(x)為兩個相互獨立的Pearson函數，ratio為非晶化劑量與總劑量的比例。

3.如權利要求2所述的離子注入濃度的校準方法，其特征在于，所述瞬間參數還包括所述ratio，若所述分布曲線的尾部低于所述實測曲線的尾部，則調小ratio；若所述分布曲線的尾部高于所述實測曲線的尾部，則調大ratio。