[發(fā)明專利]穩(wěn)定的可濃縮的硅晶片拋光組合物及相關(guān)方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410141252.6 | 申請日: | 2014-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN104099026A | 公開(公告)日: | 2014-10-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | N·K·奔達(dá);L·M·庫克 | 申請(專利權(quán))人: | 羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分類號: | C09G1/02 | 分類號: | C09G1/02;B24B29/00;B24D13/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 陸蔚 |
| 地址: | 美國特*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 穩(wěn)定 濃縮 晶片 拋光 組合 相關(guān) 方法 | ||
1.一種用于拋光硅晶片的穩(wěn)定的可濃縮的化學(xué)機(jī)械拋光組合物,其含有:
水;
磨料;
如通式(I)所示的陽離子:
其中R1、R2、R3、R4獨(dú)立地選自下組:氫和C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基;以及
如通式(II)所示的哌嗪或哌嗪衍生物
其中R5選自下組:氫、C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基;以及
任選地,pH調(diào)節(jié)劑;
其中所述拋光組合物具有至少300納米/分鐘的硅去除速率。
2.如權(quán)利要求1所述的穩(wěn)定的可濃縮的化學(xué)機(jī)械拋光組合物,其特征在于,所述硅晶片表面上具有天然氧化物;該穩(wěn)定的可濃縮的化學(xué)機(jī)械拋光組合物含有0.001-0.5重量%的磨料;所述磨料是平均粒徑為20-30納米的膠體二氧化硅磨料。
3.如權(quán)利要求2所述的穩(wěn)定的可濃縮的化學(xué)機(jī)械拋光組合物,其特征在于,所述穩(wěn)定的可濃縮的化學(xué)機(jī)械拋光組合物含有<1ppm的聚合物。
4.如權(quán)利要求3所述的穩(wěn)定的可濃縮的化學(xué)機(jī)械拋光組合物,其特征在于,其還含有:
碳酸根離子或磷酸根離子。
5.如權(quán)利要求4所述的穩(wěn)定的可濃縮的化學(xué)機(jī)械拋光組合物,其特征在于,其還含有:
鹵離子。
6.如權(quán)利要求1所述的穩(wěn)定的可濃縮的化學(xué)機(jī)械拋光組合物,其特征在于,所述磨料保持分散,且將該穩(wěn)定的可濃縮的化學(xué)機(jī)械拋光組合物在21℃和大氣壓條件下保存至少2周后不會沉降。
7.一種制備如權(quán)利要求1所述的穩(wěn)定的可濃縮的化學(xué)機(jī)械拋光組合物的方法,所述方法包括:
提供水;
提供磨料;
提供如通式(I)所示的陽離子源:
其中R1、R2、R3、R4獨(dú)立地選自下組:氫和C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基;以及
提供如通式(II)所示的哌嗪或哌嗪衍生物源
其中R5選自下組:氫、C1-10烷基、C1-10芳基、C1-10芳基烷基和C1-10烷基芳基;
任選地,提供pH調(diào)節(jié)劑;以及,
將所述水、所述如通式(I)所示的陽離子源、所述如通式(II)所示的哌嗪或哌嗪衍生物源和所述任選的pH調(diào)節(jié)劑混合;
其中所述穩(wěn)定的可濃縮的化學(xué)機(jī)械拋光組合物的pH值為8-12。
8.如權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述如通式(I)所示的陽離子源選自碳酸胍和磷酸胍;所述如通式(II)所示的哌嗪或哌嗪衍生物源是哌嗪二鹽酸鹽一水合物。
9.一種拋光硅晶片的方法,該方法包括:
提供硅晶片;
提供如權(quán)利要求1所述的穩(wěn)定的可濃縮的化學(xué)機(jī)械拋光組合物;
提供化學(xué)機(jī)械拋光墊;
提供拋光設(shè)備;
在拋光設(shè)備中裝載硅晶片和化學(xué)機(jī)械拋光墊;
以≥0.5kPa的向下作用力在化學(xué)機(jī)械拋光墊和硅晶片之間的界面處形成動態(tài)接觸;以及
在所述化學(xué)機(jī)械拋光墊和硅晶片之間的界面處或界面附近,將所述穩(wěn)定的可濃縮的化學(xué)機(jī)械拋光組合物分散在所述化學(xué)機(jī)械拋光墊上;
其中所述穩(wěn)定的可濃縮的化學(xué)機(jī)械拋光組合物的pH值為8-11。
10.如權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,在以下操作條件下,所述穩(wěn)定的可濃縮的化學(xué)機(jī)械拋光組合物達(dá)到的硅去除速率至少為300納米/分鐘:臺板轉(zhuǎn)速63轉(zhuǎn)/分鐘,支架轉(zhuǎn)速57轉(zhuǎn)/分鐘,穩(wěn)定的可濃縮的化學(xué)機(jī)械拋光組合物的流速為200毫升/分鐘,在200毫米的拋光設(shè)備上施加27.58kPa(4psi)的向下作用力,所述化學(xué)機(jī)械拋光墊包括聚氨酯浸漬的無紡聚酯氈墊。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司,未經(jīng)羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410141252.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





