[發(fā)明專利]一種多級(jí)孔TiO2/量子點(diǎn)復(fù)合材料的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410141127.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103881709A | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙晉津;汪文娜;張江賓;王鵬;王蕾;王俊朋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 石家莊鐵道大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C09K11/67 | 分類號(hào): | C09K11/67;B01J27/04;H01L51/42 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 050043 河北省石*** | 國(guó)省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多級(jí) tio sub 量子 復(fù)合材料 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種多級(jí)孔TiO2/量子點(diǎn)復(fù)合材料的制備方法,屬于半導(dǎo)體光電材料和光催化材料領(lǐng)域。?
背景技術(shù)
能源短缺和環(huán)境污染是人類面臨的兩大難題,充分利用太陽(yáng)能的轉(zhuǎn)換能量和光催化降解有機(jī)物研究成為當(dāng)前各國(guó)研究的熱點(diǎn)。多級(jí)孔半導(dǎo)體氧化物,如TiO2、SiO2、ZnO、SnO2、Bi2O3等,在光學(xué)、傳感、光催化、光伏、電催化和磁學(xué)等方面表現(xiàn)出優(yōu)異的性質(zhì),并且以其原料豐富,成本低廉,合成工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)受到廣泛的關(guān)注和重視。單一的多級(jí)孔半導(dǎo)體氧化物禁帶寬度較寬,吸收光譜范圍窄,通過(guò)在其表面復(fù)合量子點(diǎn),調(diào)節(jié)量子點(diǎn)顆粒的尺寸,形狀或成份比例,改變禁帶寬度,優(yōu)化復(fù)合材料能級(jí)與太陽(yáng)光中可見光譜匹配程度,擴(kuò)寬光譜響應(yīng)范圍。因此合成多級(jí)孔氧化物半導(dǎo)體/量子點(diǎn)復(fù)合材料成為研究的熱點(diǎn),此復(fù)合材料在光電轉(zhuǎn)換、光催化等領(lǐng)域具有重要的意義。目前常用的II-VI系量子點(diǎn),如CdSe,CdS,CdTe,PbS,PbSe和PbTe等,但Cd,Pb等有毒元素的使用限制了其應(yīng)用前景。三元硫?qū)倩顲uAB2(A=In,Ga;B=Se,Se,Te)是I-III-VI族半導(dǎo)體化合物材料,為直接帶隙半導(dǎo)體,其禁帶寬度更有利于太陽(yáng)光的吸收,而且有較高的吸收系數(shù)和較低的毒性,且我國(guó)稀土元素儲(chǔ)量豐富,是一類較為理想的量子點(diǎn)原材料。?
自從1972年Fujishima和Honda發(fā)現(xiàn)受輻射的TiO2表面能發(fā)生水的持續(xù)氧化還原反應(yīng)以來(lái),以其為代表的光電材料和光催化材料已得到廣泛的研究與應(yīng)用。多級(jí)孔TiO2與量子點(diǎn)復(fù)合具有優(yōu)異的光吸收及紅外線反射等光學(xué)特性,Cho,J.W.等(Nanotechnology,2012,23,265401)用氯化亞銅、氯化銦、油胺和單質(zhì)硫合成的CuInS2量子點(diǎn),其尺寸為12nm左右,它的禁帶寬度1.37eV。Teng,H.S.等(J.Mater.Chem.,2012,22,3656)以氯化亞銅和氯化銦為前驅(qū)體鹽,油胺為絡(luò)合劑,正己烷為溶劑,單質(zhì)硫?yàn)榱蛟矗軇岱ê铣闪诵∮?nm的CuInS2量子點(diǎn),通過(guò)自組裝吸附在多級(jí)孔TiO2薄膜中,其光電轉(zhuǎn)換效率僅為1.9%。已報(bào)道的文獻(xiàn),多是通過(guò)繁雜的步驟合成量子點(diǎn)后,再通過(guò)雙功能團(tuán)等方法嫁接到TiO2上,量子點(diǎn)與TiO2結(jié)合處出現(xiàn)電子泯滅和不能有效傳遞電子的缺陷。本發(fā)明提出了一種在真空狀態(tài)下,在多級(jí)孔TiO2顆粒上直接合成量子點(diǎn),量子點(diǎn)分布均勻、合成步驟簡(jiǎn)單,在光電轉(zhuǎn)換和光催化等應(yīng)用上具有重要意義。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種多級(jí)孔TiO2/量子點(diǎn)復(fù)合材料的制備方法,針對(duì)解決上述的技術(shù)現(xiàn)狀而提供的一種擴(kuò)寬光譜響應(yīng)范圍,步驟簡(jiǎn)單的制備半導(dǎo)體/量子點(diǎn)復(fù)合材料的方法。?
多級(jí)孔TiO2/量子點(diǎn)復(fù)合材料的制備方法,步驟如下:?
(1)制備多級(jí)孔TiO2粉體:將表面活性劑F127加入無(wú)水乙醇中,攪拌至溶液澄清后,滴加TiCl4繼續(xù)攪拌,原料的摩爾比為F127∶EtOH∶TiCl4=1∶3397∶76,攪拌溫度40~60℃,然后放入高壓釜中,?80~250℃水熱2~24h;過(guò)濾干燥后,焙燒,退火,制備得到多級(jí)孔TiO2粉體;?
(2)配制I-III-VI族CuInGaS2量子點(diǎn)前驅(qū)溶液:配制0.01~5mol/L?InCl3前驅(qū)溶液,0.01~5mol/L?GaCl3前驅(qū)溶液,0.01~5mol/L?CuCl2前驅(qū)溶液,0.01~10mol/L?Na2S前驅(qū)溶液;?
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