[發(fā)明專利]一種銅鐵錫硒薄膜的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410141014.5
• 申請日: 2014-04-09
• 公開（公告）號: CN103938169A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孟憲寬;楊平雄;褚君浩
• 申請（專利權(quán)）人: 華東師范大學(xué)
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/58;H01L31/032
• 代理公司: 上海麥其知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31257
• 代理人: 董紅曼

1.一種銅鐵錫硒薄膜Cu₂FeSnSe₄的制備方法，其特征在于，使用磁控濺射方法在玻璃襯底上自下而上依次沉積錫、鐵、銅金屬層，得到層狀金屬薄膜前驅(qū)體；然后，將所述層狀金屬薄膜前驅(qū)體置于石墨盒中并加入硒粉，一同放置于管式快速退火爐中進(jìn)行后硒化處理，得到所述銅鐵錫硒薄膜Cu₂FeSnSe₄；其中，所述銅鐵錫硒薄膜Cu₂FeSnSe₄中的各金屬元素含量是通過調(diào)節(jié)金屬層的濺射沉積時(shí)間來調(diào)控。

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述玻璃襯底的預(yù)處理為，用洗潔精清洗玻璃襯底表面，然后再依次使用丙酮、乙醇和去離子水進(jìn)行超聲清洗，清洗后置于去離子水中保存。

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述銅鐵錫硒薄膜Cu₂FeSnSe₄中的各金屬元素的摩爾比為Cu：Fe：Sn：Se=27.12：11.89：11.27：49.73。

4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述銅鐵錫硒薄膜Cu₂FeSnSe₄中的各金屬元素的化學(xué)計(jì)量比為Cu：Fe：Sn：Se=2：1：1：4。

5.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述退火溫度為450℃～500℃，所述后硒化處理的溫度為500℃。

6.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在后硒化升溫至500℃的過程中，在250℃時(shí)保溫1min，在500℃時(shí)保溫20min。

7.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述后硒化處理的整個升溫時(shí)間為360s。

8.一種按權(quán)利要求1-7之任一項(xiàng)所述的制備方法得到的銅鐵錫硒薄膜Cu₂FeSnSe₄，其特征在于，所述銅鐵錫硒薄膜Cu₂FeSnSe₄為致密、無孔洞、表面較平滑的結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述銅鐵錫硒薄膜Cu₂FeSnSe₄用作薄膜太陽能電池吸收層。