[發明專利]一種半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 201410141013.0
• 申請日: 2014-04-09
• 公開（公告）號: CN104979276A
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發明（設計）人: 沈哲敏;李廣寧
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供等待超時晶圓，所述晶圓已形成有銅種子層；

采用氫氣和氮氣對所述銅種子層進行還原處理；

先采用大顆粒等離子氣體刻蝕所述銅種子層，再采用小顆粒等離子氣體對所述銅種子層表面進行修復。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述還原處理在除氣腔內進行。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述大顆粒等離子氣體為氬氣。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述小顆粒等離子氣體為氦氣。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在高偏壓功率下沉積銅層，以使銅金屬的晶向轉向Cu〈111〉,其中，所述高偏壓功率范圍為800～1000W。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述銅種子層上電鍍形成銅層。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述還原處理的溫度為200～300℃。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氫氣和氮氣的比例為3:97～4:96。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用第二射頻功率進行所述刻蝕。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用第一射頻功率進行所述修復。

11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述銅種子層上電鍍形成銅層之前還包括對所述銅種子層進行表面潤濕的步驟。