[發明專利]一種電磁波吸收裝置及其制備方法

有效

• 申請號: 201410140960.8
• 申請日: 2014-04-10
• 公開（公告）號: CN104972710B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 周作成;劉付勝聰
• 申請（專利權）人: 蘇州馭奇材料科技有限公司
• 主分類號: B32B9/04
• 分類號: B32B9/04;B32B15/02;B32B27/04
• 代理公司: 暫無信息
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1.一種電磁波吸收裝置的制備方法，其特征在于：

所述電磁波吸收裝置包括設定表面電阻值的氧化錫膜、磁性金屬顆粒填充聚合物復合膜、以及天然石墨膜或人工合成石墨膜共三層結構；氧化錫膜在上層，磁性金屬顆粒填充聚合物復合膜是中間層，底層是石墨膜；

所述的氧化錫膜的表面電阻在10～5000Ω/□范圍內，其可增加電磁波吸收體在低頻范圍內的電阻損耗；

單分散的磁性金屬顆粒通過聚合物粘結劑結合在一起，其表面電阻在10⁶Ω/□以上；石墨膜為天然石墨膜或人工合成石墨膜，其表面電阻在200mΩ/□以內，電導率在10⁴S/m以上，可對入射其表面的電磁波形成有效的反射，引發磁性金屬顆粒的二次磁損耗和氧化錫膜的二次電阻損耗，從而增強對頻率小于1GHz的電磁輻射的綜合吸收效果；

所述制備方法包括如下步驟：

（1）準備石墨膜材料，將其附著在帶粘性的PET、PP或PE塑料膜上以增加其機械強度；

（2）準備磁性金屬顆粒、聚合物粘結劑和溶劑組成的漿料，通過采用壓膜、旋涂、帶涂、印刷、噴涂或滾涂方式在石墨表面制成金屬顆粒填充聚合物的復合膜，其表面電阻為10⁶～10⁸Ω/□；

（3）在復合膜表面通過氣相法或液相法合成摻雜的SnO₂半導體氧化物薄膜，控制雜質元素的含量以及薄膜的厚度，得到表面電阻在10～5000Ω/□范圍內。