[發(fā)明專利]一種摻雜Er3+的CdS納米帶多波段紅外探測器的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410140950.4
• 申請日: 2014-04-10
• 公開（公告）號: CN103904163B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉應(yīng)開
• 申請（專利權(quán)）人: 劉應(yīng)開;侯德東
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/09;H01L31/0352;H01L31/0296
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1.一種摻雜Er³⁺的CdS納米帶多波段紅外探測器的制備方法，其特征在于，該摻雜Er³⁺的CdS納米帶多波段紅外探測器的制備方法的步驟包括：

步驟一、將CdS粉末和乙酸鉺粉體按質(zhì)量比為50∶1的比例混合均勻，然后取出5-10克混合粉體轉(zhuǎn)入瓷舟中，并將瓷舟放入管式爐中心位置處；

步驟二、在離瓷舟5厘米處擺放噴有厚為20-30納米金薄膜的硅襯底，封閉管式爐，抽出空氣使達(dá)到真空，并通入氬氣，停止抽氣，讓氬氣靜止30分鐘，再抽真空，反復(fù)3次；

步驟三、隨后以每分鐘25℃的升溫速率把爐子溫度升高到840℃，維持2小時(shí)，然后降溫到室溫，直通20sccm的氬氣；

步驟四、取出沉積有摻雜Er³⁺的CdS納米帶的襯底，然后用鑷子刮下一部分樣品分散到乙醇中供制備器件用；

步驟五、利用掩膜版制備納米器件：選取SiO₂/Si作為襯底，將分散納米帶放在SiO₂/Si襯底上形成掩膜版，在掩膜版上形成鈦/金合金電極沉積，然后移去掩膜版，即制得納米器件，并引出納米器件的電極導(dǎo)線；

步驟六、將引出導(dǎo)線的器件分3檔接入放大器，一并裝入封裝的盒子中，就制成三波段紅外探測器。

2.如權(quán)利要求1所述的摻雜Er³⁺的CdS納米帶多波段紅外探測器的制備方法，其特征在于，在步驟二中，抽出空氣，使管內(nèi)真空度達(dá)到10^-3-10^-4Torr，并通入氬氣，停止抽氣，讓氬氣靜止30分鐘，再抽真空達(dá)10^-3-10^-4Torr，反復(fù)3次。

3.如權(quán)利要求1所述的摻雜Er³⁺的CdS納米帶多波段紅外探測器的制備方法，其特征在于，在步驟三中，從升溫到降溫整個(gè)過程中爐內(nèi)通入氬氣，并維持管內(nèi)壓強(qiáng)為150Torr。

4.如權(quán)利要求1所述的摻雜Er³⁺的CdS納米帶多波段紅外探測器的制備方法，其特征在于，在步驟四中，摻雜Er³⁺的CdS納米帶長數(shù)10微米，寬5-10微米，厚50-80納米。

5.如權(quán)利要求1所述的摻雜Er³⁺的CdS納米帶多波段紅外探測器的制備方法，其特征在于，在步驟六中的盒子上表面透明，無吸收，便于光照射到納米帶器件上。

6.如權(quán)利要求1所述的摻雜Er³⁺的CdS納米帶多波段紅外探測器的制備方法，其特征在于，納米器件的合金電極材料與納米帶形成歐姆接觸。

7.如權(quán)利要求1所述的摻雜Er³⁺的CdS納米帶多波段紅外探測器的制備方法，其特征在于，用不同波長的光輻照該納米器件，發(fā)現(xiàn)波長為457.5納米，620納米，955納米3個(gè)波長附近納米帶的電導(dǎo)大幅度增加，所以作為探測波長為457.5納米，620納米，955納米的三波段光導(dǎo)型探測器。

8.如權(quán)利要求1所述的摻雜Er³⁺的CdS納米帶多波段紅外探測器的制備方法，其特征在于，探測器可探測藍(lán)光、紅光和近紅外光。