[發(fā)明專利]半導體裝置以及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410140919.0
• 申請日: 2014-04-10
• 公開（公告）號: CN104103677B
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發(fā)明（設計）人: 安達広樹;熊倉佳代
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 陳華成

1.一種半導體裝置，包括：

柔性襯底；

在所述柔性襯底上的半導體元件；

在所述柔性襯底上且沿著所述柔性襯底的外周部的半導體層；以及

在所述半導體元件及所述半導體層上的絕緣層，

其中，所述絕緣層包括在所述半導體層上且沿著所述柔性襯底的所述外周部的開口，

其中，所述半導體層的第一端部由所述絕緣層覆蓋，

其中，所述半導體層的第二端部在所述開口中露出，

其中，所述柔性襯底的端部與所述半導體層的所述第二端部一致，并且

其中，所述半導體層及所述開口圍繞所述半導體元件。

2.一種半導體裝置，包括：

柔性襯底；

在所述柔性襯底上的半導體元件；

在所述柔性襯底上且沿著所述柔性襯底的外周部的半導體層；

在所述半導體元件及所述半導體層上的絕緣層；以及

在所述半導體元件與所述半導體層之間的導電層，

其中，所述絕緣層包括在所述半導體層上且沿著所述柔性襯底的所述外周部的開口，

其中，所述半導體層的第一端部由所述絕緣層覆蓋，

其中，所述半導體層的第二端部在所述開口中露出，

其中，所述柔性襯底的端部與所述半導體層的所述第二端部一致，并且

其中，所述半導體層、所述開口及所述導電層圍繞所述半導體元件。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體裝置，

其中所述半導體元件包括晶體管，

其中所述導電層包含與所述晶體管的柵電極、源電極或漏電極相同的材料。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述絕緣層的端部位于所述半導體層上。

5.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述半導體層及所述開口的每一個具有閉合曲線的形狀。

6.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，還包括粘合層及包含絕緣材料的層，

其中，所述粘合層及所述包含絕緣材料的層位于所述柔性襯底與所述半導體層之間。

7.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述半導體元件包括晶體管。

8.根據(jù)權利要求7所述的半導體裝置，其中所述半導體層包含與所述晶體管的溝道中的半導體相同的材料。

9.一種制造半導體裝置的方法，包括如下步驟：

在支撐襯底上形成剝離層；

在所述剝離層上形成被剝離層；

在所述被剝離層上形成半導體元件及圍繞所述半導體元件的半導體層；

在所述半導體元件及所述半導體層上形成絕緣層，該絕緣層具有重疊于所述半導體層的開口；

在形成具有所述開口的所述絕緣層之后，從所述被剝離層剝離所述剝離層及所述支撐襯底；

在從所述被剝離層剝離所述剝離層及所述支撐襯底之后，將柔性襯底粘合到所述被剝離層的剝離面；以及

在將所述柔性襯底粘合到所述被剝離層的所述剝離面之后，在重疊于所述開口的位置處切斷所述柔性襯底、所述被剝離層及所述半導體層。