[發明專利]一種具有大功率高光束質量激光的半導體激光器

有效

• 申請號: 201410140797.5
• 申請日: 2014-04-09
• 公開（公告）號: CN103887707B
• 公開（公告）日: 2017-06-23
• 發明（設計）人: 邱運濤;堯舜;曹銀花;王智勇;秦文斌
• 申請（專利權）人: 華芯半導體科技有限公司
• 主分類號: H01S5/14
• 分類號: H01S5/14;H01S5/06
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司11327
• 代理人: 陳英俊

1.一種具有大功率高光束質量激光的半導體激光器，其特征在于，在半導體增益元件外部搭建外諧振腔，所述外諧振腔內依次設置準直光學元件、光譜色散元件和耦合輸出鏡，所述半導體增益元件包含數個呈直線平行排列的有源增益區，在每個有源增益區的一側鍍有對激光波長高反射率的膜層，另一側鍍有對激光波長高透過率的膜層，有源增益區的形狀為錐筒形；所述準直光學元件位于所述半導體增益元件鍍有高透過率膜層一側的后方，其中心光軸方向與所述半導體光學增益元件發射出光束的中心光軸重合，所述準直光學元件是由柱透鏡和球面透鏡組成的透鏡組或微透鏡和球面透鏡組成的透鏡組；所述光譜色散元件以一定角度放置于所述準直光學元件的后方，所述耦合輸出鏡沿光束傳播方向位于所述光譜色散元件的后方。

2.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述準直光學元件是由柱透鏡和球面透鏡組成的透鏡組，將所述光學增益元件發射出的光束聚焦，使每個有源增益區所發出的聚焦后的傳播方向都略有不同，但焦點位置相同。

3.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述準直光學元件是由微透鏡和球面透鏡組成的透鏡組，將所述光學增益元件發射出的光束準直為平行光，通過所述球面透鏡使光束聚焦，并且使每個有源增益區所發出的光束準直后的傳播方向都略有不同。

4.根據權利要求2或3所述的半導體激光器，其特征在于，所述光譜色散元件以一定角度放置于聚焦光學元件的后方焦平面處，將所有沿不同傳播方向的光束耦合為一束沿光軸方向傳播的光束。

5.根據權利要求4所述的半導體激光器，其特征在于，所述光譜色散元件為閃耀光柵。

6.根據權利要求5所述的半導體激光器，其特征在于，所述耦合輸出鏡為平面鏡，鏡面鍍有約為80％透過率的膜層。

7.根據權利要求5所述的半導體激光器，其特征在于，所述耦合輸出鏡為凹面鏡，鏡面鍍有約為80％透過率的膜層。

8.根據權利要求7所述的半導體激光器，其特征在于，所述半導體增益元件材料為(InGa)(AsP)/InP。