[發明專利]一種陣列基板的制造方法

在審

• 申請號: 201410140752.8
• 申請日: 2014-04-09
• 公開（公告）號: CN103972167A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 杜振源;林巧雯;曾賢楷;張家銘;葉昭緯;丁天倫;林俊男
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，該制造方法包括以下步驟：

依次形成一金屬層、一柵極絕緣層、一半導體層和一第一保護層，其中，該金屬層位于基板的上方且包括一柵極，該柵極絕緣層位于該金屬層的上方，該半導體層位于該柵極絕緣層的上方，該半導體層包括一通道區及該通道區兩相對側的一漏極和一源極，該第一保護層位于該柵極絕緣層和該半導體層的上方；

形成一導電薄膜層于該第一保護層的上方；

形成一圖案化的第二保護層于該導電薄膜層的上方，其中，該第二保護層的圖案邊緣呈陡峭狀；

形成一通孔于該第二保護層與該第一保護層的接觸面；以及

形成一像素電極層于所述第二保護層的上方。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，上述形成圖案化的第二保護層的步驟還包括：

形成一平坦的第二保護層于該導電薄膜層的上方；

沉積一圖案化的硬掩膜層于所述第二保護層的上方；以及

對所述第二保護層進行干蝕刻，以形成所述圖案化的第二保護層。

3.根據權利要求2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜層由透明導電氧化物或透明氧化物半導體構成。

4.根據權利要求3所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材質為氧化銦錫或氧化銦鎵鋅。

5.根據權利要求2至4中任意一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，于上述形成所述圖案化的第二保護層的步驟之后，還包括步驟：

對所述硬掩膜層進行濕蝕刻，以移除所述硬掩膜層。

6.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第二保護層的材質為氧化硅、氮氧化硅或氮化硅。

7.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，該第二保護層的圖案邊緣與水平方向的夾角不小于85度。

8.根據權利要求7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，該第二保護層的圖案邊緣與水平方向的夾角為89.9度。

9.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述陣列基板適于一平面顯示設備。