[發(fā)明專利]在晶圓上制造和封裝發(fā)光二極管芯片的工藝方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410140604.6
• 申請日: 2014-04-08
• 公開（公告）號: CN104979452A
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉勝;鄭懷;雷翔;但強(qiáng);羅小兵
• 申請（專利權(quán)）人: 劉勝
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/62
• 代理公司: 上海市華誠律師事務(wù)所 31210
• 代理人: 李平

1.一種在晶圓上制造和封裝發(fā)光二極管芯片的工藝方法,其特征在于包含以下步驟：

A.在發(fā)光二極管晶圓片盤上制作電連接金屬凸點(diǎn)；

B.制作一層與發(fā)光二極管晶圓片同樣尺寸的熒光粉層；

C.在熒光粉層上制作通孔，該通孔的位置與發(fā)光二極管晶圓片金屬凸點(diǎn)的位置對應(yīng)；

D.在熒光粉層的一面上均勻涂覆一層的環(huán)氧樹脂膠或熱固性高分子粘結(jié)劑，并保留步驟C制作的熒光粉層中的通孔不被填充；

E.將熒光粉層涂有粘結(jié)劑的表面和發(fā)光二極管晶圓片有金屬凸點(diǎn)的表面粘結(jié)在一起；

F.加熱固化熒光粉層和發(fā)光二極管晶圓片中間的粘結(jié)劑；

G.對粘結(jié)后的發(fā)光二極管晶圓片進(jìn)行切割，完成單顆白光發(fā)光二極管芯片的制作和后續(xù)的電子封裝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在晶圓上制造和封裝發(fā)光二極管芯片的工藝方法，其特征在于所述發(fā)光二極管晶圓片為水平或垂直或倒裝結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在晶圓上制造和封裝發(fā)光二極管芯片的工藝方法，其特征在于步驟A中在發(fā)光二極管晶圓片焊盤上制作的金屬凸點(diǎn)為球形或圓柱形或長方體，金屬凸點(diǎn)的高度為40μm～0.15㎜，經(jīng)絲網(wǎng)印刷、電鍍、打線機(jī)植球或激光植球制作在發(fā)光二極管晶圓片上，金屬凸點(diǎn)由金屬銅、金、鎳與鉛錫焊料制成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在晶圓上制造和封裝發(fā)光二極管芯片的工藝方法，其特征在于步驟B中的熒光粉層為：玻璃熒光粉層或固化的硅膠熒光粉層或陶瓷熒光粉層，熒光粉材料為YAG黃色熒光粉或TAG熒光粉，基材為玻璃、硅膠或陶瓷。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在晶圓上制造和封裝發(fā)光二極管芯片的工藝方法，其特征在于步驟D中所述粘結(jié)劑為環(huán)氧樹脂膠或熱固性的高分子聚合物粘結(jié)劑，經(jīng)絲網(wǎng)印刷或保形涂覆方法涂覆于熒光粉層表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在晶圓上制造和封裝發(fā)光二極管芯片的工藝方法，其特征在于步驟A中所述熒光粉層為圓形薄層，熒光粉層的厚度小于金屬凸點(diǎn)的高度，熒光粉層的直徑與發(fā)光二極管晶圓片直徑相同，熒光粉層經(jīng)絲網(wǎng)印刷或激光刻蝕或感應(yīng)耦合等離子體刻蝕或納米壓印或機(jī)械微加工的方法，在熒光粉層上與發(fā)光二極管晶圓片金屬凸點(diǎn)的對應(yīng)位置的通孔直徑大于金屬凸點(diǎn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在晶圓上制造和封裝發(fā)光二極管芯片的工藝方法，其特征在于步驟D所述一層均勻的粘結(jié)劑涂覆在熒光粉層表面，通過發(fā)光二極管晶圓片焊盤上金屬凸點(diǎn)和熒光粉層通孔的對應(yīng)關(guān)系，以機(jī)械對準(zhǔn)的方式粘結(jié)到發(fā)光二極管晶圓片有金屬凸點(diǎn)的一面，將熒光粉層和發(fā)光二極管晶圓片粘結(jié)為一體。