[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410140490.5 | 申請日: | 2014-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN104282712A | 公開(公告)日: | 2015-01-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 姜侖昊 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;陰亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發(fā)光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
相關申請的引用
本申請要求于2013年7月1日提交的第10-2013-0076603號韓國專利申請的權益,所述申請的全部內(nèi)容通過引用并入本文。
背景技術
1.技術領域
本公開涉及有機發(fā)光顯示器裝置及其制造方法。
2.相關技術描述
在顯示裝置中,有機發(fā)光顯示裝置已被確定為下一代顯示裝置,這歸因于它們的優(yōu)異特性,例如廣視角、良好對比度和迅速響應時間。
通常,有機發(fā)光裝置包括像素限定層,其覆蓋像素電極的邊緣并暴露所述像素電極的中心部分。在形成像素限定層之后,使用諸如噴墨印刷或噴嘴印刷的方法在所述像素電極上形成包括發(fā)光層的中間層。
在顯示裝置中,每一像素電極可以構成亞像素。如果以變化的間距布置亞像素,則需要噴墨頭以變化的間距來分配墨(以用于形成中間層)。因此,這會導致噴墨印刷工藝變差,并且導致工藝缺陷,例如在顯示裝置上的油墨污跡。
概述
本公開旨在至少解決與使用噴墨印刷或噴嘴印刷工藝在有機發(fā)光裝置中形成中間層相關的上述問題。
根據(jù)本發(fā)明構思的某些實施方案,提供了有機發(fā)光顯示裝置。所述顯示裝置包括:多個第一電極,其中每一第一電極對應于亞像素;像素限定層,其包括暴露至少部分第一電極的多個開口和布置在像素限定層上表面上的多個入口;布置在第一電極的暴露部分上并在入口中的中間層;以及布置在中間層和像素限定層上的對電極,其中所述入口選擇性地布置在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間。
在某些實施方案中,在鄰近的發(fā)射不同波長的光的亞像素之間可以省略入口。
在某些實施方案中,第一距離可以對應于布置在第一開口處的中間層的兩個鄰近液滴的各中心之間的距離,第二距離可以對應于從布置在第一開口處的中間層的最邊緣的液滴的中心到在入口排出的中間層的最鄰近液滴的中心的距離,并且所述第一距離可以基本等于所述第二距離。
在某些實施方案中,入口的深度可以為像素限定層厚度的約1/4至約1/2。
根據(jù)本發(fā)明構思的某些其他實施方案,提供了有機發(fā)光顯示裝置。所述顯示裝置包括:多個第一電極,其中每一第一電極對應于亞像素;像素限定層,其包括暴露至少部分第一電極的多個第一開口以及暴露至少部分襯底的多個第二開口;布置在第一電極和襯底的暴露的部分上的中間層;以及布置在中間層和像素限定層上的對電極,其中所述第二開口選擇性地布置在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間。
在某些實施方案中,在鄰近的發(fā)射不同波長的光的亞像素之間可以省略第二開口。
在某些實施方案中,第一距離可以對應于從第二開口的中心到最鄰近的第一電極的中心的距離,第二距離可以對應于從第二開口的中心到另一最鄰近的第一電極的中心的距離,并且所述第一距離可以基本等于所述第二距離。
根據(jù)本發(fā)明構思的某些其他實施方案,提供了制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。所述方法包括形成多個第一電極,其中每一第一電極對應于亞像素;形成包括多個第一開口的像素限定層,其中所述第一開口暴露至少部分第一電極;在第一電極的暴露的部分上形成中間層;以及在中間層和像素限定層上形成對電極。
在某些實施方案中,所述方法可以包括在像素限定層的上表面上形成多個入口;以及在第一電極的暴露的部分上并在入口中形成中間層,其中在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間選擇地形成所述入口。
在某些實施方案中,在鄰近的發(fā)射不同波長的光的亞像素之間可以省略入口。
在某些實施方案中,第一距離可以對應于布置在第一開口處的中間層的兩個鄰近液滴的各中心之間的距離,第二距離可以對應于從布置在第一開口處的中間層的最邊緣的液滴的中心到在入口排出的中間層的最鄰近液滴的中心的距離,并且所述第一距離可以基本等于所述第二距離。
在某些實施方案中,形成像素限定層可以進一步包括在相同工藝步驟中形成第一開口和入口。
在某些實施方案中,所述方法可以包括在像素限定層中形成多個第二開口以用于暴露至少部分襯底;以及在第一電極和襯底的暴露部分上形成中間層,其中可以在鄰近的發(fā)射相同波長的光的亞像素之間選擇地形成第二開口。
在某些實施方案中,在鄰近的發(fā)射不同波長的光的亞像素之間可以省略第二開口。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





