[發(fā)明專利]一種低相噪低雜散快捷變頻率合成器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410140234.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103888134A | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馮江華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 四川九洲電器集團(tuán)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H03L7/16 | 分類號(hào): | H03L7/16 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214 | 代理人: | 韓雪 |
| 地址: | 621000 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 低相噪低雜散 快捷 頻率 合成器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及頻率合成器領(lǐng)域,尤其涉及一種低相噪低雜散快捷變微波頻率合成器。
背景技術(shù)
頻率合成器是雷達(dá)和通信等電子設(shè)備的核心部件,其主要的技術(shù)指標(biāo)包括相位噪聲、雜散抑制、跳頻速度等。頻率合成器相位噪聲的高低直接決定發(fā)射頻譜的邊帶信號(hào)幅度的大小,高的邊帶信號(hào)在脈沖壓縮后的副瓣會(huì)掩蓋弱小目標(biāo)探測,降低雷達(dá)的距離探測性能;在頻率合成器的雜散電平較高時(shí),會(huì)在接收回波中產(chǎn)生成對(duì)的虛假信號(hào),且加寬主瓣寬度,降低雷達(dá)的距離分辨率;現(xiàn)代雷達(dá)面臨復(fù)雜的電磁環(huán)境,其抗干擾性能決定雷達(dá)的戰(zhàn)場生存能力,而頻率捷變是一種有效的抗干擾措施,跳頻速度是捷變頻雷達(dá)的重要指標(biāo)之一。
目前的頻率合成的主要方法有:模擬直接頻率合成、鎖相環(huán)(PLL)和直接數(shù)字頻率合成(DDS)。在實(shí)際工程應(yīng)用中,用傳統(tǒng)的直接數(shù)字頻率合成可以獲得良好的相位噪聲,但需要大量的混頻和倍頻鏈路,引入非線性分量,電路復(fù)雜,雜散指標(biāo)難以控制;PLL方式能獲得較高的雜散抑制,但跳頻速度通常在100??s量級(jí),難以滿足頻率捷變的要求;若采用直接數(shù)字合成方式,跳頻速度可以滿足要求,但雜散指標(biāo)難以控制。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題,本發(fā)明提供了一種低相噪低雜散快捷變微波頻率合成器,包括恒溫晶振、第一功分器,第二功分器、第一一次雷達(dá)本振環(huán)、第二一次雷達(dá)本振環(huán)、二次雷達(dá)本振環(huán)、調(diào)制器、放大器,若干微波開關(guān),第一二選一微波開關(guān)、第二二選一微波開關(guān);它們的連接關(guān)系為:
第一功分器輸入端與恒溫晶振連接,輸出端分別連接第一一次雷達(dá)本振環(huán)、第二一次雷達(dá)本振環(huán);所述第一一次雷達(dá)本振環(huán)、第二一次雷達(dá)本振環(huán)的輸出端分別通過一個(gè)微波開關(guān)連接到第一二選一微波開關(guān)的接頭上,該第一二選一微波開關(guān)再與第二功分器輸入端連接;?
第二功分器一個(gè)輸出端與調(diào)制器、放大器順次連接,輸出調(diào)制信號(hào),另一個(gè)輸出端連接一個(gè)微波開關(guān)后連接第二二選一微波開關(guān)的一個(gè)接頭,所述第二二選一微波開關(guān)的另一個(gè)接頭則通過一個(gè)微波開關(guān)連接二次雷達(dá)本振環(huán),所述第二二選一微波開關(guān)輸出本振信號(hào)。
進(jìn)一步的,所述第一一次雷達(dá)本振環(huán)、第二一次雷達(dá)本振環(huán)構(gòu)造相同:均包含衰減器、壓力振蕩器、鑒相器、環(huán)路濾波器、單片機(jī);所述單片機(jī)與鑒相器輸入端連接,用于提供工作頻控碼;所述鑒相器與環(huán)路濾波器、壓控振蕩器、衰減器順次連接構(gòu)成回路,環(huán)路濾波器的輸出端連接衰減器,所述衰減器與一個(gè)微波開關(guān)連接。
進(jìn)一步的,所述第一一次雷達(dá)本振環(huán)和/或第二一次雷達(dá)本振環(huán)第一一次雷達(dá)本振環(huán)、第二一次雷達(dá)本振環(huán)、二次雷達(dá)本振環(huán)置于不同的金屬隔離腔體。
進(jìn)一步的,還包括若干下部具有凹槽的隔條,各個(gè)微波開關(guān)和/或各個(gè)二選一微波開關(guān)置于其對(duì)應(yīng)的隔條的凹槽中。
進(jìn)一步的,鑒相器的相位噪聲估算值公式為:
PN=Pfloor+20logN+10logFr
其中:PN為相位噪聲估算值;?POCXO為晶振的相位噪聲;?N為倍頻數(shù);Pfloor為鑒相器相位噪聲基底;?Fr為鑒相頻率。
進(jìn)一步的,鑒相器芯片型號(hào)為ADF4106。
本發(fā)明的有益效果是:
1.實(shí)現(xiàn)一、二次雷達(dá)頻率合成器融合設(shè)計(jì),改變了傳統(tǒng)需兩獨(dú)立的頻率合成器的設(shè)計(jì);
2.采用低相噪鎖相頻率合成式設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了較高的相噪聲指標(biāo);一次雷達(dá)本振采用了雙環(huán)“乒乓”模式進(jìn)行切換實(shí)現(xiàn)了快速跳頻;
3.通過合理的結(jié)構(gòu)布局和合適的電平切換,各個(gè)本振環(huán)采用獨(dú)立的屏蔽腔,微波開關(guān)安裝固定在隔條中,使雜散得到更好的抑制;
4.本發(fā)明指標(biāo)如下:相噪指標(biāo)為-105dBc/Hz@1KHz,雜散抑制為≥70dBc,頻率捷變速度≤1??s。
附圖說明
圖1為本發(fā)明系統(tǒng)框圖。
圖2為本發(fā)明所述隔條示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的設(shè)計(jì)構(gòu)思為:通過創(chuàng)新的相位噪聲預(yù)計(jì)方法,合理選擇器件,實(shí)現(xiàn)低的相位噪聲;通過鎖相環(huán)頻率預(yù)置、微波開關(guān)切換,實(shí)現(xiàn)頻率快捷變;同時(shí)采用特殊的隔離結(jié)構(gòu),以及信號(hào)幅度在腔體結(jié)構(gòu)中的合理分配,保證頻率合成器的低雜散。實(shí)現(xiàn)多頻率輸出的頻率合成器滿足低相噪低雜散快捷變的要求。
下面對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明。
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H03L7-24 .應(yīng)用直接加在發(fā)生器上的基準(zhǔn)信號(hào)的
H03L7-26 .應(yīng)用分子、原子或亞原子粒子的能級(jí)作為頻率基準(zhǔn)的
H03L7-07 ..應(yīng)用幾個(gè)環(huán)路,例如,用于產(chǎn)生冗余時(shí)鐘信號(hào)





