[發明專利]一種半導體器件及其制作方法有效
| 申請號： | 201410140183.7 | 申請日： | 2014-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN104979393B | 公開（公告）日： | 2018-10-23 |
| 發明（設計）人： | 鄭凱 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 及其 制作方法 | ||
1.一種半導體器件的制作方法，包括：
提供半導體襯底；
在所述半導體襯底上形成第一電介質層；
在所述第一電介質層上形成N型石墨烯層；
圖案化所述N型石墨烯層，以露出部分的所述第一電介質層；
在露出的所述第一電介質層和所述N型石墨烯層上形成第二電介質層；
圖案化所述第二電介質層，以露出部分的所述N型石墨烯層，完全覆蓋露出的所述第一電介質層；
在圖案化的所述第二電介質層上形成P型石墨烯層；
圖案化所述P型石墨烯層，以露出部分的位于所述N型石墨烯層上方的所述第二電介質層；
在所述半導體襯底上形成第三電介質層；
圖案化所述第三電介質層，以露出部分的所述N型石墨烯層和所述P型石墨烯層。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在圖案化所述第三電介質層之后在露出的所述N型石墨烯層上形成N型金屬接觸層和在露出的所述P型石墨烯層上形成P型金屬接觸層的步驟。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，還包括在形成所述N型金屬接觸層和所述P型金屬接觸層之后執行平坦化工藝以露出所述第三電介質層的步驟。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，還包括在執行所述平坦化步驟之后在所述第三電介質層上形成金屬柵極的步驟。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型石墨烯層和所述P型石墨烯層為單層石墨烯結構。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三電介質層和所述第二電介質層的材料相同。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，未經中芯國際集成電路制造（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410140183.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
