[發明專利]用于鉑摻雜的浸泡溶液及快恢復二極管制備工藝中的鉑摻雜方法有效
| 申請號： | 201410139452.8 | 申請日： | 2014-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN104979170B | 公開（公告）日： | 2018-09-07 |
| 發明（設計）人： | 王學良;陳宏 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤華晶微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/22 | 分類號： | H01L21/22;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 鞏克棟;楊晞 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 摻雜 浸泡 溶液 恢復 二極管 制備 工藝 中的 方法 | ||
1.一種在制備快恢復二極管工藝中在硅材料中進行鉑摻雜的浸泡溶液，其特征在于，所述溶液中含有氯亞鉑酸銨和氫氟酸；
所述浸泡溶液中，氯亞鉑酸銨的濃度為0.01～10g/L去離子水；所述浸泡溶液中，每克氯亞鉑酸銨對應加入0.1～1000mL的氫氟酸；所述氫氟酸以30v％的濃度計。
2.一種快恢復二極管制備工藝中的鉑摻雜方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
(1)將硅片浸泡在權利要求1所述的浸泡溶液中，獲得吸附了鉑離子的硅片；所述硅片為PN結二極管硅片；
(2)退火，獲得鉑摻雜的硅材料。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述浸泡時間≥0.1s，浸泡溫度為5～50℃。
4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述浸泡時間為0.1～2000s，浸泡溫度為20～35℃。
5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，步驟(2)之前進行步驟(2’)：清洗吸附了鉑離子的硅片，除去硅片上游離的鉑離子。
6.如權利要求2所述的方法，其特征在于，步驟(2)所述退火的方式選自爐管退火和/或紅外退火。
7.如權利要求2所述的方法，其特征在于，步驟(2)所述退火之后可選將硅片浸泡于鹽酸和雙氧水的溶液中，進一步活化硅片中的鉑離子。
8.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
(1)將硅片浸泡在權利要求1所述的浸泡溶液中，獲得吸附了鉑離子的硅片；
(2’)清洗吸附了鉑離子的硅片，除去硅片表面游離的鉑離子；
(2)退火，將硅片浸泡于鹽酸和雙氧水的溶液中，取出晾干即獲得鉑摻雜的硅材料。
9.一種快恢復二極管，其特征在于，所述快恢復二極管采用權利要求2～8之一所述方法制備得到的鉑摻雜硅材料制備得到。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
