[發(fā)明專利]熱固性組合物、固化膜及具有此固化膜的電子零件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410139358.2 | 申請日: | 2014-04-08 |
| 公開(公告)號: | CN104098756B | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 近藤學 | 申請(專利權(quán))人: | 捷恩智株式會社 |
| 主分類號: | C08G59/50 | 分類號: | C08G59/50;C08L63/00;C08L79/08;G02B5/20;G02F1/1335;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 日本東京千代田區(qū)大手町二丁*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熱固性 組合 固化 具有 電子零件 | ||
本發(fā)明涉及一種分別以特定量含有聚酯酰胺酸、環(huán)氧化合物及咪唑化合物的熱固性組合物,由此熱固性組合物所得的固化膜,及具有此固化膜的電子零件。所述聚酯酰胺酸是由包含四羧酸二酐、二胺及多元羥基化合物的化合物的反應所得,所述環(huán)氧化合物在每一分子中含有2~20個環(huán)氧基,且重量平均分子量小于5,000。通過使用本發(fā)明的組合物,可以形成平坦性優(yōu)異、進而透明性及耐熱性也優(yōu)異的固化膜。
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及一種可以用于形成電子零件中的絕緣材料、半導體裝置中的鈍化膜、緩沖涂膜、層間絕緣膜、平坦化膜、液晶顯示元件中的層間絕緣膜、彩色濾光片(colorfilter)用保護膜等的熱固性組合物,由該熱固性組合物所得的透明膜,及具有該膜的電子零件。
背景技術(shù)
在液晶顯示元件等元件的制造工序中,有時進行有機溶劑、酸、堿溶液等的各種化學品處理,或者在通過濺射(sputtering)來將配線電極成膜時,將表面局部地在高溫下加熱。因此,有時為了防止各種元件的表面的劣化、損傷、變質(zhì)而設置著表面保護膜。對于這些保護膜,要求可以耐受如上所述的制造工序中的各種處理的各特性。具體來說,要求耐熱性、耐溶劑性/耐酸性/耐堿性等耐化學品性、耐水性、對玻璃等底層基板的密接性、透明性、耐損傷性、涂布性、平坦性、耐光性等。另外,在推進液晶顯示元件的高視角化、高速響應化、高精細化等高性能化的現(xiàn)狀下,在用作彩色濾光片保護膜的情況下,期望平坦性提高的材料。
具有這些優(yōu)異特性的保護膜材料包括聚酯酰胺酸組合物(參照日本專利特開2005-105264號、2008-156546號)。日本專利特開2005-105264號的組合物雖然耐化學品性及透明性佳,但有耐熱性及平坦性不足的缺點。另外,日本專利特開2008-156546號的組合物雖然為耐熱性優(yōu)異且平坦性也良好的材料,但在近年來經(jīng)高精細化、薄型化的液晶顯示元件所要求的高平坦性方面不足。進而,也進行了保護膜材料的薄膜化,但難以確保平坦性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題在于提供一種不妨礙聚酯酰胺酸組合物的優(yōu)異特性且平坦性更優(yōu)異的固化膜、及具有該固化膜的電子零件。
為解決所述課題,本發(fā)明人等人進行了努力研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn),可利用使以下組合物固化所得的固化膜來達成所述目的,從而完成了本發(fā)明。所述組合物含有聚酯酰胺酸、環(huán)氧化合物及咪唑化合物,所述聚酯酰胺酸是由包含四羧酸二酐、二胺及多元羥基化合物的化合物的反應所得,所述環(huán)氧化合物在每一分子中含有2~20個環(huán)氧基,且重量平均分子量小于5,000。
本發(fā)明包含以下部分。
[1]一種熱固性組合物,其含有聚酯酰胺酸、環(huán)氧化合物及環(huán)氧固化劑,特征在于:
含有咪唑化合物作為環(huán)氧固化劑;
聚酯酰胺酸是通過將四羧酸二酐、二胺及多元羥基化合物作為必需的原料成分進行反應而獲得,且是通過使X摩爾的四羧酸二酐、Y摩爾的二胺及Z摩爾的多元羥基化合物以符合下述式(1)及式(2)的比率反應而獲得的聚酯酰胺酸;
0.2≤Z/Y≤8.0………(1)
0.2≤(Y+Z)/X≤5.0……(2)
聚酯酰胺酸含有下述通式(3)及通式(4)所表示的結(jié)構(gòu)單元;
環(huán)氧化合物為在每一分子中含有2~20個環(huán)氧基、且重量平均分子量小于5,000的環(huán)氧化合物;
相對于聚酯酰胺酸100重量份,環(huán)氧化合物為20~400重量份;
相對于環(huán)氧化合物100重量份,咪唑化合物為0.01~15重量份;
式(3)及式(4)中,R1為四羧酸二酐殘基,R2為二胺殘基,R3為多元羥基化合物殘基。
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