[發(fā)明專利]晶閘管及其版圖結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410139010.3
• 申請(qǐng)日: 2014-04-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103928510A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葛雯;劉梅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/74
• 分類號(hào): H01L29/74;H01L29/423;H01L29/06
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種晶閘管，其特征在于，包括：襯底；位于襯底中的N阱和P阱；位于N阱中的第一N型注入?yún)^(qū)及第一P型注入?yún)^(qū)；位于P阱中的第二N型注入?yún)^(qū)及第二P型注入?yún)^(qū)；以及位于N阱和P阱之間的第三N型注入?yún)^(qū)；其中，所述第二N型注入?yún)^(qū)和第三N型注入?yún)^(qū)之間形成有柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)通過(guò)電容與第一電平連接，所述柵極結(jié)構(gòu)通過(guò)電阻與第二電平連接，所述第一電平高于第二電平。

2.如權(quán)利要求1所述的晶閘管，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括氧化層及位于所述氧化層上的多晶硅層。

3.如權(quán)利要求2所述的晶閘管，其特征在于，所述電容由所述多晶硅層及位于所述多晶硅層上的金屬層形成。

4.如權(quán)利要求3所述的晶閘管，其特征在于，所述多晶硅層與所述金屬層之間還形成有介質(zhì)層。

5.如權(quán)利要求3所述的晶閘管，其特征在于，所述金屬層為銅金屬層或者鋁金屬層。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的晶閘管，其特征在于，所述第一N型注入?yún)^(qū)與第一P型注入?yún)^(qū)之間、第一P型注入?yún)^(qū)與第三N型注入?yún)^(qū)之間、以及第二N型注入?yún)^(qū)與第二P型注入?yún)^(qū)之間均形成有隔離結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的晶閘管，其特征在于，所述第一N型注入?yún)^(qū)上、第一P型注入?yún)^(qū)上、第二N型注入?yún)^(qū)上、第二P型注入?yún)^(qū)上均形成有金屬電極。

8.如權(quán)利要求7所述的晶閘管，其特征在于，所述第一N型注入?yún)^(qū)及第一P型注入?yún)^(qū)通過(guò)金屬電極與第一電平連接，所述第二N型注入?yún)^(qū)及第二P型注入?yún)^(qū)通過(guò)金屬電極與第二電平連接。

9.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的晶閘管，其特征在于，所述第二電平為地電位。

10.一種晶閘管的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：襯底區(qū)；位于襯底區(qū)上的N阱區(qū)和P阱區(qū)；位于N阱區(qū)和P阱區(qū)上順次排列的五個(gè)注入?yún)^(qū)區(qū)域；其中，第三個(gè)注入?yún)^(qū)區(qū)域與第四個(gè)注入?yún)^(qū)區(qū)域之間具有柵極結(jié)構(gòu)區(qū)，所述柵極結(jié)構(gòu)區(qū)上形成有金屬線區(qū)。