[發(fā)明專利]一種氧化鋅壓控變容管的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410139003.3
• 申請日: 2014-04-08
• 公開（公告）號: CN103952674A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發(fā)明（設計）人: 李玲霞;鄭浩然;于仕輝;許丹;董和磊;金雨馨
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 張宏祥

1.一種氧化鋅壓控變容管的制備方法，具有如下步驟：

（1）稱取ZnO粉末，壓制成型，采用固相燒結法于1100℃燒制ZnO靶材；

（2）將Pt-Si襯底清洗干凈，以N₂吹干并放入磁控濺射樣品臺上；

（3）將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至P<7.0×10^-6Torr，然后加熱Pt-Si襯底至300～700℃；

（4）以高純氬氣和氧氣作為濺射氣體，Ar和O₂的流量比為10:1～2:1,氣體總流量為100sccm，濺射氣壓為10mTorr，濺射功率為100～200W，進行沉積得到ZnO薄膜；

（5）步驟（4）停止后，待Pt-Si襯底溫度降至200℃以下時，取出制品，在氧氣氣氛爐中進行后退火處理，所述退火溫度為400℃～600℃，退火時間為5～60min；

（6）在步驟（5）退火后的ZnO薄膜上面利用掩膜版制備金屬電極，并利用熱蒸鍍法或者濺射法制備Au或者Pt電極。

2.根據權利要求1所述的一種氧化鋅壓控變容管的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）ZnO粉末的純度為99%。

3.根據權利要求1所述的一種氧化鋅壓控變容管的制備方法，其特征在于，所述步驟（4）氬氣和氧氣的純度為99.99%。

4.根據權利要求1所述的一種氧化鋅壓控變容管的制備方法，其特征在于，所述步驟（4）得到ZnO薄膜的厚度為150～500nm，通過調節(jié)濺射功率和沉積時間控制薄膜厚度。

5.根據權利要求1所述的一種氧化鋅壓控變容管的制備方法，其特征在于，所述步驟（5）氧氣氣氛爐中通入氧氣的壓強≤0.1Mpa，氧氣純度≥99%。

6.根據權利要求1所述的一種氧化鋅壓控變容管的制備方法，其特征在于，所述步驟（6）的電極為圓形電極，直徑≤0.3mm。