[發(fā)明專利]一種改進(jìn)接觸孔線寬均一性的刻蝕方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410138996.2
• 申請(qǐng)日: 2014-04-08
• 公開（公告）號(hào): CN103915378B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高騰飛;荊泉;張頌周;任昱;呂煜坤;張旭升
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種改進(jìn)接觸孔線寬均一性的刻蝕方法，其特征在于，包括：

步驟一，利用光學(xué)線寬測(cè)量儀測(cè)量并收取前批次晶圓上的中間部分的接觸孔線寬全映射數(shù)據(jù)和邊緣部分的接觸孔線寬全映射數(shù)據(jù)以建立一數(shù)據(jù)庫；

步驟二，通過所述數(shù)據(jù)庫將得到的前批次晶圓中間部分的接觸孔線寬全映射數(shù)據(jù)的平均值和晶圓邊緣部分的接觸孔線寬全映射數(shù)據(jù)的平均值，與工藝要求的接觸孔線寬相比，分別得到前批次晶圓中間部分的寬差和晶圓邊緣部分的寬差；

步驟三，一APC系統(tǒng)根據(jù)前批次所述晶圓中間部分的寬差和晶圓邊緣部分的寬差，以及根據(jù)刻蝕氣體流量與接觸孔線寬的線性關(guān)系，調(diào)整后批次每片晶圓中間部分和晶圓邊緣部分的刻蝕氣體流量；

步驟四，在接觸孔刻蝕工藝步驟中，通過所述APC系統(tǒng)實(shí)時(shí)修正后批次每片晶圓中間部分和晶片邊緣部分的刻蝕氣體流量，返回步驟一。

2.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)接觸孔線寬均一性的刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟二中，

前批次所述晶圓中間部分的寬差的計(jì)算公式為：

ΔA=Z-L1????（公式1）

前批次所述晶圓邊緣部分的寬差的計(jì)算公式為：

ΔB=Z-L2????（公式2）

其中，Z為工藝要求的接觸孔線寬，L1為前批次晶圓中間部分的接觸孔線寬全映射數(shù)據(jù)的平均值，L2為前批次晶圓邊緣部分的接觸孔線寬全映射數(shù)據(jù)的平均值，ΔA為前批次晶圓中間部分的寬差，ΔB為前批次晶圓邊緣部分的寬差，Z、L1、L2、ΔA和ΔB的單位均為nm。

3.如權(quán)利要求2所述的改進(jìn)接觸孔線寬均一性的刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟三中，所述線性關(guān)系為：每增加3sccm刻蝕氣體流量，接觸孔線寬增大1nm；每減小3sccm刻蝕氣體流量，接觸孔線寬減小1nm。

4.如權(quán)利要求3所述的改進(jìn)接觸孔線寬均一性的刻蝕方法，其特征在于，在所述步驟三中，

所述APC系統(tǒng)調(diào)整后批次每片晶圓中間部分的刻蝕氣體流量的計(jì)算公式為：

C=3*ΔA????（公式3）

所述APC系統(tǒng)調(diào)整后批次每片晶圓邊緣部分的刻蝕氣體流量的計(jì)算公式為：

E=3*ΔB????（公式4）

其中，C為后批次晶圓中間部分的刻蝕氣體調(diào)整流量，E為后批次晶圓邊緣部分的刻蝕氣體調(diào)整流量；

公式3：若C為正值，表示增加后批次晶圓中間部分的刻蝕氣體流量的流量值，若C為負(fù)值，表示減少后批次晶圓中間部分的刻蝕氣體流量的流量值；

公式4：若E為正值，表示增加后批次晶圓邊緣部分的刻蝕氣體流量的流量值，若E為負(fù)值，表示減少后批次晶圓邊緣部分的刻蝕氣體流量的流量值。

5.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)接觸孔線寬均一性的刻蝕方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)庫至少存在分別用于前批次所述晶圓中間部分的接觸孔線寬全映射數(shù)據(jù)和晶圓邊緣部分的接觸孔線寬全映射數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)空間。

6.如權(quán)利要求5所述的改進(jìn)接觸孔線寬均一性的刻蝕方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)庫分別獲得的前批次所述晶圓中間部分的接觸孔線寬全映射數(shù)據(jù)的平均值和晶圓邊緣部分的接觸孔線寬全映射數(shù)據(jù)的平均值，與一普通線寬測(cè)量儀獲得的接觸孔線寬全映射數(shù)據(jù)的平均值相比，所采樣的數(shù)據(jù)數(shù)目多。

7.如權(quán)利要求5所述的改進(jìn)接觸孔線寬均一性的刻蝕方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)庫采樣10%-100%的數(shù)據(jù)，分別計(jì)算前批次所述晶圓中間部分的接觸孔線寬全映射數(shù)據(jù)的平均值和晶圓邊緣部分的接觸孔線寬全映射數(shù)據(jù)的平均值。

8.如權(quán)利要求5所述的改進(jìn)接觸孔線寬均一性的刻蝕方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)庫采樣30%-70%的數(shù)據(jù)，分別計(jì)算前批次所述晶圓中間部分的接觸孔線寬全映射數(shù)據(jù)的平均值和晶圓邊緣部分的接觸孔線寬全映射數(shù)據(jù)的平均值。