[發(fā)明專利]晶圓缺陷的檢測裝置及其檢測方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410138987.3 | 申請日: | 2014-04-08 |
| 公開(公告)號: | CN103913466A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何理;許向輝;郭賢權(quán);陳超 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | G01N21/88 | 分類號: | G01N21/88 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 王宏婧 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 缺陷 檢測 裝置 及其 方法 | ||
1.一種晶圓缺陷的檢測裝置,其特征在于,包括:真空密閉容器、平行光源、光敏元件和信號處理器;
其中,所述光敏元件面對所述平行光源,用于感測所述平行光源發(fā)出的光信號,所述平行光源和所述光敏元件均設(shè)置于所述真空密閉容器的內(nèi)部,所述信號處理器的輸入端與所述光敏元件連接。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷的檢測裝置,其特征在于,所述平行光源包括發(fā)光單元和透鏡,所述透鏡正對著所述發(fā)光單元,所述發(fā)光單元所發(fā)出的光通過所述透鏡形成平行光。
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓缺陷的檢測裝置,其特征在于,所述平行光的波長范圍在0.1mm到0.5mm之間。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷的檢測裝置,其特征在于,所述光敏元件的信號感測區(qū)域的范圍與所述晶圓的尺寸相適配。
5.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷的檢測裝置,其特征在于,還包括一晶圓固定裝置,所述晶圓固定裝置設(shè)置于所述平行光源和光敏元件之間。
6.一種晶圓缺陷的檢測方法,其特征在于,包括:
提供一待測晶圓;
通過如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述晶圓缺陷的檢測裝置檢測所述待測晶圓上的缺口。
7.如權(quán)利要求6所述的晶圓缺陷的檢測方法,其特征在于,通過所述晶圓缺陷的檢測裝置檢測所述待測晶圓的方法包括:
將所述待測晶圓放置于所述平行光源和所述光敏元件之間并關(guān)閉真空密閉容器;
對所述真空密閉容器進(jìn)行抽真空;
打開平行光源并利用所述光敏元件感測光信號;
通過所述信號處理器對所述光信號進(jìn)行采集和分析得到所述缺口的檢測結(jié)果。
8.如權(quán)利要求7所述的晶圓缺陷的檢測方法,其特征在于,進(jìn)行抽真空之后,所述真空密閉容器的真空度在10-3Torr到10-8Torr之間。
9.如權(quán)利要求7所述的晶圓缺陷的檢測方法,其特征在于,所述檢測結(jié)果包括所述缺口的尺寸,所述缺口的尺寸的計(jì)算公式為:
d=f×λ/Δy;
其中,d為所述缺口的尺寸,λ為所述平行光的波長,f為所述待測晶圓與所述光敏元件的距離,Δy為形成于所述光敏元件上的衍射光斑的長度。
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G01N 借助于測定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





