[發明專利]向襯底涂敷流體

有效

• 申請號: 201410138551.4
• 申請日: 2014-04-08
• 公開（公告）號: CN104138824B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: K·皮爾希;H·利特納;M·卡林
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: B05C9/14
• 分類號: B05C9/14;B05C11/02;B05C13/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華

1.一種涂敷流體的裝置，包括：

襯底保持器；

流體涂敷設備，被配置用于向所述襯底保持器上的襯底涂敷流體；

加熱機構，被配置用于對所述流體進行局部加熱；以及

控制器，被配置用于控制所述加熱機構應用局部加熱，以便獲得所述襯底上的所述流體的希望的厚度分布，

其中所述希望的厚度分布在預定的容差內是平坦分布，并且

其中所述流體包括膠水，所述膠水用于將所述襯底安裝到載體，并且安裝到所述載體的襯底被研磨。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述流體包括酰亞胺、漆和光刻膠中的至少一個。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中所述流體的粘度依賴于溫度。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中所述加熱機構包括紅外線燈。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中所述襯底保持器是可旋轉的。

6.根據權利要求5所述的裝置，其中所述流體涂敷設備被配置用于在所述襯底保持器旋轉時涂敷所述流體。

7.根據權利要求5所述的裝置，其中所述控制器被配置用于在所述襯底保持器旋轉時控制所述加熱機構對所述流體進行局部加熱。

8.根據權利要求1所述的裝置，還包括流體厚度測量設備，所述裝置還被配置用于通過使用所述流體厚度測量設備進行的校準測量來確定局部加熱模式。

9.根據權利要求1所述的裝置，其中所述襯底保持器被配置用于接收半導體襯底。

10.根據權利要求1所述的裝置，其中所述局部加熱局部地將所述流體的特性從基本上非牛頓特性改變為基本上牛頓特性。

11.一種涂敷流體的方法，包括：

向襯底涂敷流體；

在所述襯底上分散所述流體；并且

在所述襯底上分散所述流體的同時，向所述流體應用預定的局部加熱以獲得希望的厚度分布，

其中所述希望的厚度分布在預定的容差內是平坦分布，以及

其中所述流體包括膠水，所述方法還包括使用所述膠水將所述襯底安裝到載體，并且研磨安裝到所述載體的襯底。

12.根據權利要求11所述的方法，其中分散所述流體包括旋轉所述襯底。

13.根據權利要求11所述的方法，其中所述襯底是半導體襯底。

14.根據權利要求11所述的方法，其中所述預定的局部加熱由校準來確定。

15.根據權利要求11所述的方法，其中應用所述預定的局部加熱包括對所述襯底進行局部加熱。

16.一種涂敷流體的方法，包括：

向襯底涂敷流體；

在所述襯底之上分散所述流體；

測量所述襯底之上的所述流體的流體厚度；并且

在所述襯底上分散所述流體的同時，調節對所述襯底的局部加熱以獲得所述流體的希望的厚度分布，

其中所述希望的厚度分布在預定的容差內是平坦分布，以及

其中所述流體包括膠水，所述方法還包括使用所述膠水將所述襯底安裝到載體，并且研磨安裝到所述載體的襯底。

17.根據權利要求16所述的方法，其中重復所述調節和所述測量，直至所述流體厚度匹配所述希望的厚度分布。

18.根據權利要求16所述的方法，還包括基于所述調節來存儲局部加熱模式。

19.根據權利要求16所述的方法，其中所述流體在環境溫度下表現出基本上非牛頓特性。

20.根據權利要求16所述的方法，其中所述流體包括酰亞胺、漆和光刻膠中的至少一個。

21.根據權利要求16所述的方法，其中所述局部加熱包括利用紅外線輻射來輻射所述流體。

22.根據權利要求16所述的方法，其中所述局部加熱包括電加熱所述流體。