[發(fā)明專利]快恢復(fù)二極管制備工藝中的鉑摻雜方法及快恢復(fù)二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410138532.1
• 申請日: 2014-04-08
• 公開（公告）號: CN104979167B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王學(xué)良;陳宏
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤華晶微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22;H01L21/02;H01L29/861
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟;楊晞

1.一種快恢復(fù)二極管制備工藝中的鉑摻雜方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

(1)將硅片浸泡在鉑摻雜溶液中，獲得吸附了鉑離子的硅片；所述硅片為PN結(jié)二極管硅片；所述鉑摻雜溶液為含有鉑離子的硅腐蝕體系；

(2)對步驟(1)得到的硅片進行清洗；

(3)退火，獲得鉑摻雜的硅材料；

其中，步驟(2)所述清洗的步驟為先用硫酸和雙氧水的混合溶液進行清洗，之后用氫氟酸溶液進行清洗。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅腐蝕體系由氫氟酸與硝酸、鹽酸或硫酸中的任意1種或至少2種的組合。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述鉑離子以氯亞鉑酸銨的形式加入。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述鉑摻雜溶液為含有氯亞鉑酸銨的氫氟酸溶液。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述含有氯亞鉑酸銨的氫氟酸溶液中，氯亞鉑酸銨的濃度為0.01～10g/L去離子水；每克氯亞鉑酸銨對應(yīng)0.1～1000mL的氫氟酸；所述氫氟酸以30v％的濃度計。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)所述浸泡時間≥0.1s，浸泡溫度為5～50℃。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)所述浸泡時間為0.1～2000s，浸泡溫度為20～35℃。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(2)所述硫酸和雙氧水的混合溶液按體積百分比包括如下組分：

硫酸 10～30％

雙氧水 10～30％

去離子水 余量；

所述硫酸的濃度以30v％計，雙氧水的濃度以35v％計。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(2)所述氫氟酸溶液中，以30v％濃度的氫氟酸計，氫氟酸與去離子水的體積比為(1～30)：100。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(2)所述清洗的方式為沖洗。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗的溫度為10～100℃。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗的溫度為20～35℃。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，用硫酸和雙氧水的混合溶液進行清洗的時間≥1min。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，用硫酸和雙氧水的混合溶液進行清洗的時間1～200min。

15.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，用氫氟酸溶液進行清洗的時間為1～3000s。

16.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(3)所述退火的方式選自爐管退火和/或紅外退火。

17.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(3)所述退火之后將硅片浸泡于鹽酸和雙氧水的溶液中，進一步活化硅片中的鉑離子。

18.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

(1)將硅片浸泡在氯亞鉑酸銨的氫氟酸溶液中，獲得吸附了鉑離子的硅片；

(2)對步驟(1)得到的硅片先用硫酸和雙氧水的混合溶液進行清洗，之后用氫氟酸溶液進行清洗；

(3)將步驟(2)清洗后的硅片進行退火，將退火后的硅片浸泡于鹽酸和雙氧水的溶液中清洗，取出晾干即獲得鉑摻雜的硅材料。

19.一種快恢復(fù)二極管，其特征在于，所述快恢復(fù)二極管采用權(quán)利要求1～18之一所述方法制備得到的鉑摻雜硅材料制備得到。