[發明專利]用于多孔低k介質的紫外線照射裝置和照射方法在審
| 申請號： | 201410138294.4 | 申請日： | 2014-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN103928370A | 公開（公告）日： | 2014-07-16 |
| 發明（設計）人： | 雷通;桑寧波 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 多孔 介質 紫外線 照射 裝置 方法 | ||
1.一種用于多孔低k介質的紫外線照射裝置，所述裝置包括：反應腔室和位于所述反應腔室內的多組紫外線燈，其中紫外線燈發射出的紫外線波長均相異。
2.如權利要求1所述的用于多孔低k介質的紫外線照射裝置，其特征在于，所述紫外線燈的個數為2個。
3.如權利要求2所述的用于多孔低k介質的紫外線照射裝置，其特征在于，所述紫外線燈位于所述反應腔室內同一水平高度。
4.一種用于多孔低k介質的紫外線照射方法，采用如權利要求1至3中任意一種所述的照射裝置，所述方法包括：
將所述紫外線燈根據發出的紫外線波長將其分為第一紫外線燈和第二紫外線燈，其中，所述第一紫外線燈發出的紫外線波長大于第二紫外線燈發出的紫外線波長；
采用第一紫外線燈對低k介質進行第一次紫外線照射處理；
采用第二紫外線燈對低k介質進行第二次紫外線照射處理。
5.如權利要求4所述的用于多孔低k介質的紫外線照射方法，其特征在于，所述第一紫外線燈發出的紫外線的波長范圍是300nm～400nm。
6.如權利要求5所述的用于多孔低k介質的紫外線照射方法，其特征在于，所述第一次紫外線照射處理時間范圍是30s～200s。
7.如權利要求6所述的用于多孔低k介質的紫外線照射方法，其特征在于，所述第一次紫外線照射處理的第一紫外線燈電源功率范圍是50W～500W。
8.如權利要求4所述的用于多孔低k介質的紫外線照射方法，其特征在于，所述第二紫外線燈發出的紫外線的波長范圍是200nm～300nm。
9.如權利要求8所述的用于多孔低k介質的紫外線照射方法，其特征在于，所述第二次紫外線照射處理時間范圍是30s～200s。
10.如權利要求9所述的用于多孔低k介質的紫外線照射方法，其特征在于，所述第二次紫外線照射處理的第二紫外線燈電源功率范圍是50W～500W。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
