[發明專利]發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201410138137.3
• 申請日: 2014-04-08
• 公開（公告）號: CN104103726B
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發明（設計）人: 紀喨勝;陳佩佳;陳之皓
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/00;H01L21/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一發光二極管，包含：

基板，該基板包含一上表面、一底面相對于該上表面以及一側表面；

第一型態半導體層，位于該上表面上，其中該第一型態半導體層包含第一部分以及第二部分，且該第二部分包含一邊緣圍繞該第一部分；

發光層，在該第一部分上；以及

第二型態半導體層，在該發光層上，

其中，該第二部分包含第一表面以及第二表面，在該第一表面以及該上表面之間具有第一距離，在該第二表面以及該上表面之間具有第二距離小于該第一距離，

其中，該第一表面與該第二表面具有不同粗糙度，且該第二表面位于該邊緣。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其中該基板包含透明基板。

3.如權利要求1所述的發光二極管，其中該第二表面的寬度介于5μm～15μm。

4.如權利要求1所述的發光二極管，其中該第一距離比該第二距離大

5.如權利要求1所述的發光二極管，其中該第一表面包含第一平均粗糙度(Ra)大于100nm，及/或該第二表面包含第二平均粗糙度(Ra)介于10nm～100nm。

6.如權利要求1所述的發光二極管，還包含反射層在該底面上。

7.如權利要求1所述的發光二極管，還包含破壞區域，位于該側表面上，且該破壞區域與該上表面及該底面之間具有一距離。

8.如權利要求1所述的發光二極管，其中該第一表面比該第二表面粗糙。

9.一種制造發光二極管的方法，包含：

提供一基板；

提供一半導體疊層在該基板上，其中該半導體疊層自該基板開始依序包含一第一形態半導體層、一發光層及一第二形態半導體層；

圖形化該第二形態半導體層、該發光層及該第一形態半導體層，以露出該第一形態半導體層的第一表面；

處理該第一表面的一部分以形成一第二表面，其中該第一表面的另一部分與該第二表面具有不同粗糙度；以及

提供一激光束穿透過該第二表面以切割該基板。

10.如權利要求9所述的制造發光二極管的方法，其中該激光束聚焦于該基板內部以形成一破壞區域在該基板內部，該破壞區域位于該第二表面之下。

11.如權利要求9所述的制造發光二極管的方法，其中該激光束通過該第一表面的該另一部分時會散射。

12.如權利要求9所述的制造發光二極管的方法，其中該第二表面比該第一表面的該另一部分平坦。