[發(fā)明專利]晶體管輸出電阻頻散特性的測量方法及系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410137354.0
• 申請(qǐng)日: 2014-04-04
• 公開（公告）號(hào): CN103913690A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龐磊;陳曉娟;羅衛(wèi)軍;袁婷婷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司 11252
• 代理人: 王立民;張應(yīng)

1.一種晶體管輸出電阻頻散特性的測量方法，其特征在于，包括：

為晶體管的柵極提供負(fù)向偏置電壓；

為晶體管的漏極提供正向偏置電壓和交流信號(hào)；

獲取晶體管在所述交流信號(hào)為選定頻率下的輸出電阻；

獲取所述輸出電阻與所述交流信號(hào)的選定頻率之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，以得到所述晶體管輸出電阻頻散特性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

對(duì)所述交流信號(hào)進(jìn)行抗所述正向偏置電壓干擾的處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

對(duì)所述正向偏置電壓進(jìn)行隔離所述交流信號(hào)的處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

所述交流信號(hào)的幅值小于等于500毫伏。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

所述交流信號(hào)的選定頻率在20Hz至200KHz之間選擇。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取晶體管在所述交流信號(hào)為選定頻率下的輸出電阻包括：

獲取所述晶體管的漏極與源極之間的漏源電壓；

利用采樣電阻獲取所述晶體管的漏極與源極之間的漏源電流；

根據(jù)所述晶體管的漏源電壓和漏源電流，獲取所述晶體管在所述交流信號(hào)為選定頻率下的輸出電阻。

7.一種晶體管輸出電阻頻散特性的測量系統(tǒng)，其特征在于，包括：

第一直流電源模塊，用于為晶體管的柵極提供負(fù)向偏置電壓；

第二直流電源模塊，用于為晶體管的漏極提供正向偏置電壓；

交流信號(hào)輸出模塊，用于為晶體管的漏極提供交流信號(hào)；

輸出電阻測量模塊，用于獲取晶體管在所述交流信號(hào)為選定頻率下的輸出電阻；以及，

頻散特性輸出模塊，用于獲取所述輸出電阻與所述交流信號(hào)的選定頻率之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，以得到所述晶體管輸出電阻頻散特性。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括：

抗干擾模塊，用于對(duì)所述交流信號(hào)進(jìn)行抗所述正向偏置電壓干擾的處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括：

隔離模塊，用于對(duì)所述正向偏置電壓進(jìn)行隔離所述交流信號(hào)的處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，所述輸出電阻測量模塊包括：

第一電壓測量單元，用于獲取所述晶體管的漏極與源極之間的漏源電壓；

第二電壓測量單元，用于利用采樣電阻獲取所述晶體管的漏極與源極之間的漏源電流；以及，

輸出電阻計(jì)算單元，用于根據(jù)所述晶體管的漏源電壓和漏源電流，獲取所述晶體管在所述交流信號(hào)為選定頻率下的輸出電阻。