[發明專利]鉭源前驅體及其制備方法和TaN薄膜電阻的制備方法

有效

• 申請號: 201410136822.2
• 申請日: 2014-04-04
• 公開（公告）號: CN104975269B
• 公開（公告）日: 2017-06-23
• 發明（設計）人: 劉萍;張雙慶
• 申請（專利權）人: 廣東丹邦科技有限公司
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;C23C16/517;H05K3/00
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司44223
• 代理人: 趙燁福

1.一種鉭源前驅體的制備方法，其特征在于：所述鉭源前驅體為：Ta(Bu^tN)(NEt₂)₃、Ta(Bu^tN)(NEtMe)₃、Ta(PrⁱN)(NEt₂)₃、Ta(NCMe₂Et)(NEt₂)₃，所述方法包括以下步驟：

將14-18份硅烷化試劑與20-25份胺基化試劑在甲苯溶液中反應，然后添加20-30份五氯化鉭并攪拌反應后，加入19-23份吡啶攪拌過夜后過濾得到粗產物；

將所述粗產物于甲苯中進行低溫重結晶進一步純化，得到結晶狀產物；

將所述結晶狀產物懸浮于正己烷中，然后加入20-25份仲胺基化試劑的正己烷懸浮液進行反應，反應液過夜后過濾，將濾液濃縮后減壓蒸餾獲得前述鉭源前驅體；

其中，所述份數均為質量份，所述硅烷化試劑為：三甲基氯化硅；所述仲胺基化試劑為二乙胺基鋰或甲乙胺基鋰；所述胺基化試劑為叔丁基胺、異丙基胺或叔戊基胺。