[發明專利]制造包括具有表面層的吸收層的光伏器件的方法

有效

• 申請號: 201410136799.7
• 申請日: 2014-04-04
• 公開（公告）號: CN104810429B
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 黃乾燿
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/032
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種形成光伏器件的方法，包括：

在襯底之上形成吸收層，所述吸收層包括I-III-VI₂化合物，該I-III-VI₂化合物包含I族元素、III族元素和VI族元素，其中，形成所述吸收層的步驟包括：

在所述襯底之上形成金屬前體層；

在300℃到550℃的范圍內的溫度下，在所述金屬前體層上沉積含硫前體；

在沉積所述含硫前體的步驟之后，在25℃到350℃的范圍內的溫度下沉積含硒前體；

在400℃到600℃的范圍內的溫度下沉積含硒前體；和

在500℃到800℃的范圍內的溫度下，使所述光伏器件退火；以及在所述吸收層上形成表面層，所述表面層包括I-III-VI₂化合物，該I-III-VI₂化合物包含I族元素、III族元素和VI族元素且I族元素與III族元素的原子比在0.7到0.9的范圍內；

其中，所述吸收層的I-III-VI₂化合物中的III族元素包括銦，所述銦摻雜有堿金屬元素，其中，所述吸收層的底面上沒有硫，所述吸收層的上表面上的硫與硒和硫的總量的原子比在0.1到1.0的范圍內，所述表面層的I-III-VI₂化合物中的III族元素選自由Al和Tl所組成的組。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述吸收層的I-III-VI₂化合物或者所述表面層的I-III-VI₂化合物中的I族元素選自由Cu和Ag所組成的組。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述吸收層的I-III-VI₂化合物或者所述表面層的I-III-VI₂化合物中的VI族元素選自由S和Se所組成的組。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述吸收層上形成所述表面層的步驟包括：

在200℃到520℃的范圍內的溫度下沉積含硒前體；以及

在200℃到520℃的范圍內的溫度下，在所述含硒前體上沉積含硫前體。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，在所述吸收層上形成所述表面層的步驟還包括：

在200℃到520℃的范圍內的溫度下沉積所述含硒前體之前或沉積所述含硒前體時，在所述吸收層之上沉積包括III族元素的金屬前體。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述襯底之上形成背接觸層；

其中，形成所述表面層的步驟包括：

在25℃到520℃的范圍內的溫度下沉積含硒前體；以及

在200℃到520℃的范圍內的溫度下沉積含硫前體。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，在所述吸收層上形成所述表面層的步驟還包括：

在200℃到520℃的范圍內的溫度下沉積所述含硒前體之前或沉積所述含硒前體時，在所述吸收層之上沉積包括III族元素的金屬前體。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，在所述吸收層上形成所述表面層的步驟中，在溫度低于沉積所述含硫前體的溫度的情況下沉積所述含硒前體。

9.根據權利要求6所述的方法，其中，在所述吸收層上形成所述表面層的步驟中，在300℃到400℃的范圍內的溫度下沉積所述含硒前體，且在400℃到500℃的范圍內的溫度下沉積所述含硫前體。