[發明專利]接觸插塞的形成方法

有效

• 申請號: 201410136570.3
• 申請日: 2014-04-04
• 公開（公告）號: CN104979275B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 張海洋;黃敬勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種接觸插塞的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成介質層；

在所述介質層內形成貫穿其厚度的接觸孔；

在90℃～99℃的溫度條件下對所述接觸孔進行修復處理，其作用是減少介質層受到的損傷并使氟從聚合物中分解并揮發掉，防止氟在后續濕法清洗過程中與接觸孔底部的金屬硅化物層反應，進而防止因金屬硅化物層表面被破壞而引起與后續形成的接觸插塞接觸不良；

在所述修復處理之后，對所述接觸孔進行濕法清洗；

采用導電材料填充滿所述接觸孔，采用導電材料填充滿所述接觸孔形成接觸插塞包括：采用氬氣的真空濺射方法形成擴散阻擋層。

2.如權利要求1所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，形成所述接觸孔和進行所述修復處理在不同反應腔室中進行。

3.如權利要求1所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，在進行所述濕法清洗處理之后，且在填充所述接觸孔之前，所述方法還包括：對所述接觸孔進行紫外光照處理或者烘烤處理。

4.如權利要求1所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，形成所述接觸孔和進行所述修復處理在不同反應腔室中進行。

5.如權利要求1所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述修復處理采用的氣體包括氮氣，或者包括氮氣和氫氣。

6.如權利要求4所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述修復處理采用的偏置功率為50w～100w，氣體流量為200sccm～400sccm，反應腔室的壓強范圍為100mTorr～120mTorr。

7.如權利要求1所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，采用CF₄、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F、C₄F₈或者C₅F₈中的至少一種作為反應氣體蝕刻所述介質層。

8.如權利要求1所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，在進行所述修復處理之后，且在進行所述濕法清洗之前，所述接觸孔經歷2.5h～3.5h的停留時間。

9.如權利要求1所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，形成接觸孔包括：

在所述介質層上形成掩膜層；

在所述掩膜層上形成介質抗發射層；

在所述介質抗發射層上形成圖案化的光刻膠層；

以所述圖案化的光刻膠層為掩模，蝕刻所述介質抗發射層和掩膜層，直至形成位于所述介質抗發射層和掩膜層中的開口，所述開口暴露所述介質層表面；

沿所述開口蝕刻介質層和刻蝕停止層形成所述接觸孔。

10.如權利要求9所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述掩膜層的材料包括無定形碳。