[發明專利]光半導體裝置

有效

• 申請號: 201410136422.1
• 申請日: 2009-09-08
• 公開（公告）號: CN103943734B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 藤友正人;玉置寬人;西島慎二;反田祐一郎;三木倫英
• 申請（專利權）人: 日亞化學工業株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 海坤

1.一種光半導體裝置的制造方法，其中，包括：

在支承基板上形成多個相互遠離的第一及第二導電構件的第一工序；

在所述第一及第二導電構件之間設置由遮光性樹脂構成的基體的第二工序；

在所述第一及/或第二導電構件上載置光半導體元件的第三工序；

用由透光性樹脂構成的密封構件覆蓋所述光半導體元件的第四工序；

除去所述支承基板之后，將光半導體裝置分片化的第五工序。

2.根據權利要求1所述的光半導體裝置的制造方法，其中，

所述第一及第二導電構件是通過鍍敷形成的。

3.根據權利要求1或2所述的光半導體裝置的制造方法，其中，

所述第一工序包括如下工序：在所述支承基板上形成具有相互遠離的開口部的保護膜，在該開口部內形成所述第一及第二導電構件的工序。

4.根據權利要求1或2所述的光半導體裝置的制造方法，其中，

所述第一工序包括如下工序：在所述支承基板上形成導電構件之后，對該導電構件進行蝕刻而形成相互遠離的第一及第二導電構件的工序。

5.根據權利要求1或2所述的光半導體裝置的制造方法，其中，

所述第三工序在所述第二工序之前進行。

6.根據權利要求1或2所述的光半導體裝置的制造方法，其中，

所述基體具有比所述第一及第二導電構件的上表面突出的突出部。

7.根據權利要求1或2所述的光半導體裝置的制造方法，其中，

在所述第五工序中，在包括所述第一及/或第二導電構件的位置切斷進行分片化。

8.根據權利要求1或2所述的光半導體裝置的制造方法，其中，

在所述第五工序中，在遠離所述第一及第二導電構件的位置切斷進行分片化。

9.根據權利要求1或2所述的光半導體裝置的制造方法，其中，

所述支承基板的線膨脹系數與所述基體的線膨脹系數的差為30％以下。

10.一種光半導體裝置，其特征在于，具有：

光半導體元件；

第一導電構件，其上表面載置所述光半導體元件，下表面形成光半導體裝置的外表面；

第二導電構件，其遠離所述第一導電構件，下表面形成光半導體裝置的外表面；

基體，其設置在所述第一導電構件和所述第二導電構件之間且由遮光性樹脂構成；

密封構件，其密封所述光半導體元件且由透光性樹脂構成，

所述第一及第二導電構件為鍍敷件。

11.根據權利要求10所述的光半導體裝置，其中，

所述第一及第二導電構件具有層疊構造，所述層疊構造由包括最下層、最上層和夾在它們之間的中間層的多層鍍敷層層疊而成。

12.根據權利要求10所述的光半導體裝置，其中，

所述第一及第二導電構件包括：含有Au的最下層、含有Ni或Cu的第一中間層、含有Au的第二中間層、含有Ag的最上層。

13.根據權利要求10～12中任一項所述的光半導體裝置，其中，

所述第一及第二導電構件的厚度為25μm以上200μm以下。

14.根據權利要求11或12所述的光半導體裝置，其中，

所述中間層以所述導電構件整體膜厚的80％～99％的范圍的比率形成。

15.根據權利要求10～12中任一項所述的光半導體裝置，其中，

所述基體具有比所述第一及第二導電構件的上表面突出的突出部。

16.根據權利要求15所述的光半導體裝置，其中，

所述突出部的內部埋設有保護元件。

17.根據權利要求10～12中任一項所述的光半導體裝置，其中，

所述基體的線膨脹系數與所述第一及第二導電構件的線膨脹系數的差為40％以下。

18.根據權利要求10～12中任一項所述的光半導體裝置，其中，

所述基體的線膨脹系數為5～25×10^-6/K。

19.根據權利要求10～12中任一項所述的光半導體裝置，其中，

所述基體含有熱硬化性樹脂。