[發(fā)明專利]一種基于第二鈍化層鈍化方式的雙極器件抗輻照加固方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410136054.0 | 申請日： | 2014-04-04 |
| 公開（公告）號： | CN103887171B | 公開（公告）日： | 2017-02-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李興冀;劉超銘;楊劍群;肖景東;何世禹 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業(yè)大學 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所23109 | 代理人： | 張宏威 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 第二 鈍化 方式 器件 輻照 加固 方法 | ||
1.一種基于第二鈍化層鈍化方式的雙極器件抗輻照加固方法，其特征在于，它包括以下步驟：
步驟一、采用傳統(tǒng)工藝制備雙極晶體管，并在雙極晶體管上形成第一鈍化層；
步驟二、第一鈍化層形成后，采用低壓化學氣相淀積法在第一鈍化層上生長第二鈍化層；
步驟三、對第二鈍化層進行離子注入；
步驟四、對雙極晶體管、第一鈍化層和第二鈍化層形成的一體結構進行退火工藝。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種基于第二鈍化層鈍化方式的雙極器件抗輻照加固方法，其特征在于，所述第二鈍化層為摻雜硅酸鹽玻璃層或摻雜d-正硅酸乙酯層。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種基于第二鈍化層鈍化方式的雙極器件抗輻照加固方法，其特征在于，步驟三中對第二鈍化層進行離子注入時，注入的離子為氟離子、氯離子、溴離子、碘離子或砷離子。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種基于第二鈍化層鈍化方式的雙極器件抗輻照加固方法，其特征在于，步驟四中對雙極晶體管、第一鈍化層和第二鈍化層形成的一體結構進行退火工藝時的退火溫度為400℃-1100℃。
5.根據(jù)權利要求1或4所述的一種基于第二鈍化層鈍化方式的雙極器件抗輻照加固方法，其特征在于，步驟四中對雙極晶體管、第一鈍化層和第二鈍化層形成的一體結構進行退火工藝時的退火時間為0.5min-60min。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
