[發(fā)明專利]一種基于發(fā)射極電極接觸方式的抗輻照雙極器件及該雙極器件的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410136051.7
• 申請日: 2014-04-04
• 公開（公告）號: CN103887330A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李興冀;王敬賢;劉超銘;劉文寶;楊劍群;季軒;田智文;何世禹
• 申請（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué);中國航天標(biāo)準(zhǔn)化研究所
• 主分類號: H01L29/73
• 分類號: H01L29/73;H01L29/47;H01L21/331;H01L21/28
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109
• 代理人: 張利明

1.一種基于發(fā)射極電極接觸方式的抗輻照雙極器件，其特征在于，該雙極器件的金屬層與發(fā)射區(qū)利用異質(zhì)結(jié)特性材料增強電極結(jié)構(gòu)連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于發(fā)射極電極接觸方式的抗輻照雙極器件，其特征在于，所述異質(zhì)結(jié)特性材料增強電極結(jié)構(gòu)包括：多晶硅和金屬硅化物，所述多晶硅的形狀為半球型，金屬硅化物覆蓋在多晶硅上表面，所述多晶硅中含有摻雜原子。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于發(fā)射極電極接觸方式的抗輻照雙極器件，其特征在于，所述多晶硅中的摻雜原子與雙極器件發(fā)射區(qū)中的摻雜原子類型相同。

4.一種基于發(fā)射極電極接觸方式的抗輻照雙極器件的制備方法，其特征在于，所述方法為：

首先，利用光刻技術(shù)在發(fā)射區(qū)上光刻出接觸孔；并在該接觸孔處形成硅層，在該硅層上沉積種子原子，形成多晶硅（2）；

然后，利用低壓化學(xué)氣相沉積方法在多晶硅（2）表面生成金屬硅化物層（1），并利用光刻技術(shù)平整金屬硅化物層（1）的表面，構(gòu)成異質(zhì)結(jié)特性材料增強電極結(jié)構(gòu)；

利用上述方法在上述異質(zhì)結(jié)特性材料增強電極結(jié)構(gòu)表面再制備兩層異質(zhì)結(jié)特性材料增強電極結(jié)構(gòu)；

在最上層的異質(zhì)結(jié)特性材料增強電極結(jié)構(gòu)上生成金屬層（3），將該金屬層（3）與發(fā)射極電極連接，構(gòu)成雙極器件；

最后，對上述雙極器件進行退火，從而獲得一種基于發(fā)射極電極接觸方式的抗輻照雙極器件。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于發(fā)射極電極接觸方式的抗輻照雙極器件的制備方法，其特征在于，所述退火的溫度在400℃至1100℃之間，退火時間在0.5min至20min之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于發(fā)射極電極接觸方式的抗輻照雙極器件的制備方法，其特征在于，所述異質(zhì)結(jié)特性材料增強電極結(jié)構(gòu)包括：多晶硅（2）和金屬硅化物，所述多晶硅（2）的形狀為半球型，金屬硅化物覆蓋在多晶硅（2）上表面，所述多晶硅（2）中含有摻雜原子。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于發(fā)射極電極接觸方式的抗輻照雙極器件的制備方法，其特征在于，所述多晶硅（2）中的摻雜原子與雙極器件發(fā)射區(qū)中的摻雜原子類型相同。