[發明專利]基于發射區幾何結構的雙極器件抗輻照加固方法有效
| 申請號： | 201410135985.9 | 申請日： | 2014-04-04 |
| 公開（公告）號： | CN103871873A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 李興冀;趙玉玲;劉超銘;劉廣橋;孫毅;楊劍群;韓力爭;劉艷秋;李鵬偉;趙運霞;何世禹 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學;石家莊天林石無二電子有限公司;中國空間技術研究院 |
| 主分類號： | H01L21/328 | 分類號： | H01L21/328;H01L21/265 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人： | 張宏威 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 發射 幾何 結構 器件 輻照 加固 方法 | ||
1.基于發射區幾何結構的雙極器件抗輻照加固方法，其特征在于：該方法的具體步驟為：
步驟一：采用TCAD軟件模擬雙極型器件圓形發射區梳狀結構的工藝參數，并根據模擬的工藝參數采用傳統工藝制備圓形發射區梳狀結構的雙極型器件；所述工藝參數為圓形發射區梳狀結構的面積和周長；
步驟二：采用SRIM軟件模擬獲得注入雙極型器件的離子的能量、入射深度和注量信息；
步驟三：采用TCAD軟件模擬雙極型器件的電流增益變化，改變雙極型器件的離子注入量，使TCAD軟件模擬雙極型器件的電流增益變化量小于未注入離子時雙極型器件電流增益的10%，記錄離子注入量；
步驟四：根據步驟三獲得的離子注入量，對離子注入機進行參數設置，在雙極型器件發射區的邊緣位置進行離子注入，形成橫截面為梯形的發射區；
步驟五：對完成離子注入后的雙極型器件進行退火處理，退火處理后完成基于發射區幾何結構的雙極器件抗輻照加固。
2.根據權利要求1所述的基于發射區幾何結構的雙極器件抗輻照加固方法，其特征在于：步驟二所述的離子為P型發射區的離子或N型發射區的離子。
3.根據權利要求2所述的基于發射區幾何結構的雙極器件抗輻照加固方法，其特征在于：所述P型發射區的離子為硼、鎵離子。
4.根據權利要求2所述的基于發射區幾何結構的雙極器件抗輻照加固方法，其特征在于：所述N型發射區的離子為磷、砷離子。
5.根據權利要求1所述的基于發射區幾何結構的雙極器件抗輻照加固方法，其特征在于：步驟五所述的退火溫度為400℃-1100℃，退火時間為5分鐘-50分鐘。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
