[發明專利]抗輻照雙極器件及該器件的制備方法

有效

• 申請號: 201410135845.1
• 申請日: 2014-04-04
• 公開（公告）號: CN103872106B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 李興冀;楊劍群;劉超銘;肖景東;何世禹
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: H01L29/73
• 分類號: H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所23109
• 代理人: 張宏威

1.抗輻照雙極器件，其特征在于：在基區表面設置有以發射區為中心的高摻雜濃度區，所述高摻雜濃度區的摻雜濃度為體區摻雜濃度的10～10000倍。

2.根據權利要求1所述的抗輻照雙極器件，其特征在于：所述的高摻雜濃度區為多環式高摻雜濃度區。

3.根據權利要求2所述的抗輻照雙極器件，其特征在于：所述的多環式高摻雜濃度區的深度為發射區深度的1/20～1/5，環的寬度為0.01～10um，內環邊界距發射區邊界的最小距離為0.01～10um，相鄰兩個環的間距為0.1～10um，環的個數為1～10個。

4.根據權利要求1所述的抗輻照雙極器件，其特征在于：所述的高摻雜濃度區為長方形柵格式高摻雜濃度區。

5.根據權利要求4所述的抗輻照雙極器件，其特征在于：所述的長方形柵格式高摻雜濃度區的深度為發射區深度的1/20～1/5，長方形柵格的長度和寬度均為0.01～10um，長方形柵格距發射區邊界最小距離為0.01～10um，相鄰兩個長方形柵格的間距為0.1～10um，柵格的行數和列數均為2～100個。

6.權利要求1所述的抗輻照雙極器件的制備方法，其特征在于：在完成基區擴散或離子注入后，在進行發射區擴散或離子注入前，進行抗輻照加固方法，所述抗輻照加固方法通過以下步驟實現：

步驟一、在基區掩膜版的基礎上，制備基區表面摻雜掩膜版；

步驟二、基于該掩膜板向基區表面注入與基區體內相同的雜質離子，注入深度為發射區深度的1/20～1/5，注入濃度為體區濃度的10～10000倍；

步驟三、完成注入后，進行退火處理，退火溫度與基區體擴散或注入時的退火溫度相同，退火時間與基區體擴散或注入時的退火時間相同。

7.根據權利要求6所述的抗輻照雙極器件的制備方法，其特征在于：步驟一所述的基區表面摻雜掩膜版為多環式掩膜版。

8.根據權利要求7所述的抗輻照雙極器件的制備方法，其特征在于：所述的多環式掩膜版的環的寬度為0.01～10um，內環邊界距發射區邊界的最小距離為0.01～10um，相鄰兩個環的間距為0.1～10um，環的個數為1～10個。

9.根據權利要求6所述的抗輻照雙極器件的制備方法，其特征在于：步驟一所述的基區表面摻雜掩膜版為長方形柵格式掩膜版。

10.根據權利要求9所述的抗輻照雙極器件的制備方法，其特征在于：所述的長方形柵格式掩膜版的長方形柵格的長度和寬度均為0.01～10um，長方形柵格距發射區邊界最小距離為0.01～10um，相鄰兩個長方形柵格的間距為0.1～10um，柵格的行數和列數均為2～100個。