[發明專利]一種基于氫離子注入的雙極型器件ELDRS效應加速實驗方法有效
| 申請號： | 201410135842.8 | 申請日： | 2014-04-04 |
| 公開（公告）號： | CN103870664B | 公開（公告）日： | 2017-01-18 |
| 發明（設計）人： | 李興冀;劉超銘;楊劍群;肖景東;何世禹;楊德莊 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 氫離子 注入 雙極型 器件 eldrs 效應 加速 實驗 方法 | ||
1.一種基于氫離子注入的雙極型器件ELDRS效應加速實驗方法，其特征在于，該方法的具體過程為：
步驟一、選取一個雙極型器件，根據選取的雙極型器件鈍化層的厚度和密度，利用SRIM軟件對該雙極型器件的結構進行仿真，獲取注入的氫離子的能量與射程；
步驟二、根據步驟一確定的氫離子的能量與射程，利用TCAD軟件對選取的雙極型器件結構進行仿真，獲取抗輻照性能參數；所述抗輻照性能參數包括電流增益、過?；鶚O電流、電源電流和輸入電流；
步驟三、改變注入雙極型器件的氫離子的注量，使TCAD模擬雙極型器件的電流增益變化量小于10%，記錄此時的氫離子的注量；
步驟四、根據步驟一獲取的注入氫離子的能量與射程和步驟三獲取的注入氫離子的注量，在選取的雙極型器件的鈍化層中注入氫離子；
步驟五、對注入氫離子后的雙極型器件進行輻照實驗。
2.根據權利要求1所述一種基于氫離子注入的雙極型器件ELDRS效應加速實驗方法，其特征在于，步驟一所述的氫離子的能量的范圍為：60keV-110keV。
3.根據權利要求1所述一種基于氫離子注入的雙極型器件ELDRS效應加速實驗方法，其特征在于，步驟三所述的氫離子的注量的范圍為：1E9p/cm2-1E11p/cm2。
4.根據權利要求3所述一種基于氫離子注入的雙極型器件ELDRS效應加速實驗方法，其特征在于，步驟三所述的氫離子的注量為1E11p/cm2。
5.根據權利要求1所述一種基于氫離子注入的雙極型器件ELDRS效應加速實驗方法，其特征在于，所述雙極型器件包括NPN器件、PNP器件、數字雙極電路、模擬雙極電路及數模/模數電路。
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