[發(fā)明專利]銅柱凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)及成型方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410135780.0
• 申請(qǐng)日: 2014-04-04
• 公開（公告）號(hào): CN103943578B
• 公開（公告）日: 2017-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李昭強(qiáng);戴風(fēng)偉;于大全
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32104
• 代理人: 殷紅梅

1.?一種銅柱凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，包括基底（1）及位于所述基底（1）上的絕緣層（2）；其特征是：所述絕緣層（2）上設(shè)有金屬焊盤（3），所述金屬焊盤（3）的外圈設(shè)有介質(zhì)層（4），所述介質(zhì)層（4）覆蓋在絕緣層（2）上，并覆蓋在金屬焊盤（3）的外圈邊緣；金屬焊盤（3）的正上方設(shè)有銅柱（8），所述銅柱（8）的底部通過(guò)種子層（6）與金屬焊盤（3）及介質(zhì)層（4）接觸，且種子層（6）覆蓋銅柱（8）的外側(cè)壁；在銅柱（8）的頂端設(shè)有焊料凸點(diǎn)（9）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅柱凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征是：所述銅柱（8）呈圓柱形或T型。

3.一種銅柱凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的成型方法，其特征是，所述銅柱凸點(diǎn)成型方法包括如下步驟：

（a）、提供具有絕緣層（2）的基底（1），并在所述基底（1）的絕緣層（2）上設(shè)置所需的金屬焊盤（3）；

（b）、在上述絕緣層（2）上設(shè)置介質(zhì)層（4），所述介質(zhì)層（4）覆蓋在絕緣層（2）及金屬焊盤（3）上；選擇性地掩蔽和刻蝕所述介質(zhì)層（4），以在金屬焊盤（3）的正上方形成第一窗口（10），通過(guò)第一窗口（10）裸露金屬焊盤（3）；

（c）、在上述介質(zhì)層（4）上涂布光刻膠層（5），并對(duì)所述光刻膠層（5）圖形化，以在所述金屬焊盤（3）的正上方形成第二窗口（11），所述第二窗口（11）與第一窗口（10）相連通；

（d）、在上述光刻膠層（5）上設(shè)置種子層（6），所述種子層（6）覆蓋在光刻膠層（5）、介質(zhì)層（4）及金屬焊盤（3）上；

（e）、在上述種子層（6）上設(shè)置干膜層（7），并對(duì)所述干膜層（7）圖形化，以在所述金屬焊盤（3）的正上方形成第三窗口（12），所述第三窗口（11）與第二窗口（12）相連通；

（f）、利用上述窗口在金屬焊盤（3）的正上方電鍍銅柱（8），所述銅柱（8）的底部通過(guò)種子層（6）與金屬焊盤（3）及介質(zhì)層（4）相接觸，銅柱（8）的側(cè)壁通過(guò)種子層（6）與光刻膠層（5）相接觸；

（g）、在上述銅柱（8）上設(shè)置焊料凸點(diǎn)（9），所述焊料凸點(diǎn)（9）支撐在銅柱（8）上，焊料凸點(diǎn)（9）的側(cè)壁與干膜層（7）相接觸；

（h）、去除上述干膜層（7）；

（i）、去除上述光刻膠層（5）上的種子層（6），以使得光刻膠層（5）的頂端裸露；

（j）、去除上述介質(zhì)層（4）上的光刻膠層（5），得到外壁包裹有種子層（6）的銅柱（8）；

（k）、對(duì)焊料凸點(diǎn)（9）進(jìn)行回流。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述銅柱凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的成型方法，其特征是：所述絕緣層（2）包括氧化硅或氮化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述銅柱凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的成型方法，其特征是：所述種子層（6）為Ti/Cu。