[發明專利]一種鰭型半導體結構及其成型方法

有效

• 申請號: 201410135448.4
• 申請日: 2014-04-04
• 公開（公告）號: CN103904122B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 李迪
• 申請（專利權）人: 唐棕
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙)11442
• 代理人: 馬佑平

1.一種鰭型半導體結構，其特征在于，包括：

具有下部襯底和鰭片部的鰭型襯底；

形成在鰭片部上的源區和漏區；

形成在所述源區和漏區之間橫跨在鰭片部上的柵極結構，柵極結構下方的鰭片部為溝道；

形成在所述鰭片部兩側的淺溝道隔離；以及

形成在所述鰭片部中的位于所述柵極結構下方、在溝道和下部襯底之間的隔離區；

所述淺溝道隔離的上表面低于所述隔離區的上表面，所述隔離區的兩側具有回切區，所述柵極結構覆蓋在所述回切區的表面。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述鰭片部(110)兩端的截面為長方形；或者

所述鰭片部(210)兩端的截面為三角形。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述鰭片部的頂面是圓滑的曲面。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述鰭片部頂面的寬度為1-10納米。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述結構還包括位于所述柵極結構的兩側的側墻。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，半導體結構還包括位于源區下方；和/或位于漏區下方的隔離區。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述隔離區位于漏區和柵極結構下方的鰭片部內。

8.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述隔離區位于柵極結構的下方，與柵極結構的長度相等。

9.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述隔離區位于柵極結構的下方，隔離區長度小于柵極結構的長度。

10.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，在所述鰭片部中存在多個短隔離區。

11.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述隔離區的材料為SiO₂和/或HfO₂。

12.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述隔離區的厚度為5-20nm。

13.根據權利要求10所述的半導體結構，其特征在于，所述短隔離區的長度小于鰭片部寬度的4倍。

14.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，包括形成于鰭片部內的犧牲區，所述隔離區形成在所述犧牲區中，所述犧牲區從鰭片部的兩側露出。

15.根據權利要求14所述的半導體結構，其特征在于，所述犧牲區是貫穿鰭片部的犧牲層。

16.根據權利要求14所述的半導體結構，其特征在于，所述犧牲區是一個或多個犧牲塊。

17.根據權利要求14所述的半導體結構，其特征在于，所述犧牲區的厚度為5-50nm。

18.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述鰭片部包括上鰭片部、犧牲區和下鰭片部。

19.根據權利要求18所述的半導體結構，其特征在于，所述上鰭片部為具有圓角的基本長方體形或者圓柱形。

20.根據權利要求18所述的半導體結構，其特征在于，所述下鰭片部的材料是Si、犧牲區的材料是SiGe、上鰭片部的材料是Si。

21.根據權利要求18所述的半導體結構，其特征在于，所述下鰭片部的材料是Si，犧牲區的材料是SiGe，上鰭片部的材料是Ge含量比犧牲區低10％的SiGe。

22.根據權利要求18所述的半導體結構，其特征在于，所述犧牲區的材料是Ge含量40％的SiGe，所述上鰭片部的材料是Ge含量30％的SiGe。

23.根據權利要求20所述的半導體結構，其特征在于，所述上鰭片部的材料是Si時，鰭片部的表面具有一SiGe外延層。

24.根據權利要求23所述的半導體結構，其特征在于，在所述SiGe外延層外，還具有一Si外延層。

25.根據權利要求21所述的半導體結構，其特征在于，所述上鰭片部的材料是SiGe時，鰭片部的表面具有Si外延層。