[發明專利]功率半導體器件的高溫測試方法

在審

• 申請號: 201410134465.6
• 申請日: 2014-04-03
• 公開（公告）號: CN104977517A
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發明（設計）人: 朱陽軍;褚為利;陸江
• 申請（專利權）人: 江蘇物聯網研究發展中心;中國科學院微電子研究所;江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種功率半導體器件的高溫測試方法，其特征在于，包括：

對待測的功率半導體器件進行預設時間的短路，使所述功率半導體器件的結溫升高至所需的測試溫度；

對所述功率半導體器件進行所述測試溫度對應的高溫測試。

2.根據權利要求1所述的高溫測試方法，其特征在于，所述預設時間小于或等于1min。

3.根據權利要求1所述的高溫測試方法，其特征在于，所述對所述功率半導體器件進行預設時間的短路具體為：向所述功率半導體器件的柵極施加一脈寬調制信號，同時向所述功率半導體器件的集電極和發射極直接施加一偏置電壓。

4.根據權利要求3所述的高溫測試方法，其特征在于，所述預設時間隨所述脈寬調制信號的占空比的增大而減小，所述預設時間隨所述脈寬調制信號的占空比的減小而增大。

5.根據權利要求3所述的高溫測試方法，其特征在于，所述脈寬調制信號的周期小于或等于10μs。

6.根據權利要求3所述的高溫測試方法，其特征在于，所述偏置電壓小于或等于所述功率半導體器件的擊穿電壓的80%。

7.根據權利要求1所述的高溫測試方法，其特征在于，所述對待測的功率半導體器件進行預設時間的短路具體為：利用電學測試儀器對待測的功率半導體器件進行預設時間的短路；

所述對所述功率半導體器件進行所述測試溫度對應的高溫測試具體為：利用對所述功率半導體器件進行短路的電學測試儀器對所述功率半導體器件進行所述測試溫度對應的高溫測試。

8.根據權利要求1～7任一項所述的高溫測試方法，其特征在于，所述高溫測試包括：飽和導通壓降測試、耐壓測試、短路耐量測試、開啟時間測試和關斷時間測試。

9.根據權利要求1～7任一項所述的高溫測試方法，其特征在于，所述功率半導體器件為全控型功率半導體器件。

10.根據權利要求9所述的高溫測試方法，其特征在于，所述功率半導體器件為絕緣柵雙極型晶體管、垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應晶體管或功率氧化物半導體場效應晶體管。