[發明專利]一種抗PID晶體硅太陽能電池制作方法

有效

• 申請號: 201410134437.4
• 申請日: 2014-04-03
• 公開（公告）號: CN103872184A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 萬松博;王栩生;章靈軍
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 唐靈;常亮

1.一種抗PID晶體硅太陽能電池的制作方法，該抗PID晶體硅太陽能電池在硅基片和氮化硅之間制作一層氧化硅，以獲得抗PID的效果，其特征在于：所述氧化硅使用臭氧氧化工藝制備而成。

2.如權利要求1所述的抗PID晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述臭氧氧化工藝包括步驟：

1）提供一經過擴散處理后的硅基片;

2）對所述硅基片進行清洗；

3）將所述硅基片至于臭氧氛圍中，使硅基片的擴散面在臭氧中氧化，直至該氧化動作自然停止，得到所需氧化硅層。

3.如權利要求2所述的抗PID晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟2）中的清洗包括：使用HF溶液清洗去除所述硅基片表面的磷硅玻璃層，所述HF溶液的體積濃度為2～8%，清洗溫度為10～30℃，清洗時間為10～200s。

4.如權利要求2所述的抗PID晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述臭氧由臭氧發生器提供，該臭氧的濃度為5～100ppm。

5.如權利要求4所述的抗PID晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述氧化動作所需的處理時間為3s～60min，溫度為15～25℃，得到的所述氧化硅層的厚度為0.6～2nm。

6.如權利要求2所述的抗PID晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟2）和步驟3）之間的間隔時間小于30min。

7.如權利要求2所述的抗PID晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述臭氧氧化工藝之后，還包括步驟4）：在氧化硅層表面沉積氮化硅層。

8.如權利要求7所述的抗PID晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述氮化硅層的厚度在80～90nm之間，折射率為2.00～2.15。

9.如權利要求7所述的抗PID晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟3）和步驟4）之間的間隔時間小于30min，或者當所述步驟3）和步驟4）之間的間隔時間超過30min時，對所述硅基片實施一清洗動作，以去除表面的自然氧化層，之后再將硅基片進行步驟3)。