[發(fā)明專利]信號(hào)傳輸線結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用的電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410134385.0
• 申請(qǐng)日: 2014-04-03
• 公開（公告）號(hào): CN104981087B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏孝璁;簡育生;葉達(dá)勛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H05K1/02
• 分類號(hào): H05K1/02
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11240
• 代理人: 余剛,吳孟秋

1.一種使用信號(hào)傳輸線結(jié)構(gòu)的電子裝置，包括：

信號(hào)傳輸線結(jié)構(gòu)，包括：

基板，具有彼此相對(duì)的第一表面以及第二表面；

硅穿孔式溝槽，在所述第一表面形成并沿著所述第一表面延伸，其中所述硅穿孔式溝槽的底面位于所述第一表面與所述第二表面之間；

導(dǎo)電物質(zhì)，填滿所述硅穿孔式溝槽以形成傳輸線路；

至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路，位于所述傳輸線路的上方；以及

介電層，位于所述第一表面上并隔開所述至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路與所述傳輸線路；

前級(jí)電路，耦接所述傳輸線路的一端以及所述至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路的一端；以及

后級(jí)電路，耦接所述傳輸線路的另一端以及所述至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路的另一端；

其中，所述前級(jí)電路與所述后級(jí)電路具有不同特征阻抗或不同相位，并且所述信號(hào)傳輸線結(jié)構(gòu)被用來調(diào)整所述特征阻抗或所述相位；

其中，硅穿孔式溝槽由第一表面開始向第二表面延伸深度H1，但不貫穿基板，其中，所述硅穿孔式溝槽的深度大于二分之一的所述基板的厚度，或所述硅穿孔式溝槽的深度大于5微米。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用信號(hào)傳輸線結(jié)構(gòu)的電子裝置，其中所述至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路的一端的寬度與所述至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路的另一端的寬度不同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用信號(hào)傳輸線結(jié)構(gòu)的電子裝置，其中所述至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路為多個(gè)，并且所述傳輸線結(jié)構(gòu)還包括：

至少一個(gè)第一導(dǎo)通孔，貫穿所述介電層，各第一導(dǎo)通孔的一端耦接所述傳輸線路，各第一導(dǎo)通孔的另一端耦接所述至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路之中的一個(gè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的使用信號(hào)傳輸線結(jié)構(gòu)的電子裝置，還包括：

至少一個(gè)第二導(dǎo)電線路，位于所述傳輸線路與所述第一導(dǎo)電線路之間，其中所述至少一個(gè)第一導(dǎo)通孔貫穿并耦接所述至少一個(gè)第二導(dǎo)電線路。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用信號(hào)傳輸線結(jié)構(gòu)的電子裝置，其中所述硅穿孔式溝槽的配置寬度大于所述至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路的配置寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用信號(hào)傳輸線結(jié)構(gòu)的電子裝置，其中所述至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路的樣式與所述傳輸線路的樣式的至少一部分相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用信號(hào)傳輸線結(jié)構(gòu)的電子裝置，其中，所述傳輸線路為接地路徑。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用信號(hào)傳輸線結(jié)構(gòu)的電子裝置，其中，所述至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路之一者為接地路徑。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用信號(hào)傳輸線結(jié)構(gòu)的電子裝置，還包括：

絕緣層，位于所述基板與所述傳輸線路之間，以將所述傳輸線路與所述基板隔離。

10.一種信號(hào)傳輸線結(jié)構(gòu)，包括：

基板，具有彼此相對(duì)的第一表面以及第二表面；

硅穿孔式溝槽，在所述第一表面形成并沿著所述第一表面延伸，其中所述硅穿孔式溝槽的底面位于所述第一表面與所述第二表面之間；

導(dǎo)電物質(zhì)，填滿這些硅穿孔式溝槽以形成傳輸線路；

至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路，位于所述傳輸線路的上方；以及

介電層，位于所述第一表面上并隔開所述至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路與所述傳輸線路；

其中，硅穿孔式溝槽由第一表面開始向第二表面延伸深度H1，但不貫穿基板，其中，所述硅穿孔式溝槽的深度大于二分之一的所述基板的厚度，或所述硅穿孔式溝槽的深度大于5微米。